Te掺杂超宽带隙隧穿结研究

研究制备得到峰值电流密度为65.3A/cm2的GaInP/AlGaAs宽带隙隧穿结和峰值电流密度为6.1A/cm2的AlGaInP/AlGaAs超宽带隙隧穿结。在隧穿结中使用二乙基碲（DETe）作为n型掺杂剂,实验中研究了材料生长温度、阀门开关处理以及DETe的流量等生长参数。采用预掺杂和升温后处理的方式来解决碲源的开关效应,而Te掺杂引入的晶格失配采用应力平衡技术来消除。另外研究了不同DETe流量下制备得到的隧穿结性能。     

基于Chebyshev-Taylor-Fourier混合级数模型函数的多源气动数据融合方法

针对飞行器气动力多源数据融合、 飞行试验气动辨识问题,提出了一种基于Chebyshev-Taylor-Fourier混合级数模型函数、不确定度平衡权函数和加权最小二乘原理的多源数据融合和辨识方法.该方法采用二元Cheby-shev级数、Taylor级数和Fourier级数技术建立飞行器气动模型函数,采用权函数技术平衡各...     

晶格小失配InGaAsP材料特性及太阳电池应用

Ⅲ-Ⅴ族太阳电池效率的持续提升要求对能量转换材料的带隙宽度进行更细致划分,以实现对全光谱的高效利用。在短波红外波段,四元InGaAsP混晶材料因在带隙宽度和晶格常数的调节上具有很好的可操作性,是一种极具潜力的短波红外光电转换材料。本文对InGaAsP材料生长及子电池器件制备进行了研究,通过时间分辨荧光光谱、高分辨X射线衍射等表征手段对室温下晶格失配的InGaAsP材料进行了测试分析。实验结果表明,在一定程度负失配生长条件下,InGaAsP材料质量随着负失配程度逐渐提高。在后续电池制备过程中,一定程度负失配同样有助于电池器件性能提升,制备的单结电池开路电压由晶格匹配时的633 mV提高到负失配条件下的684 mV,从而为高效多结太阳电池的应用提供了新的技术路线。     

热处理对CuIn(S,Se)2薄膜断面成分均匀性的影响

用同时硒硫化共溅射Cu-In预制层的方法制备了CuIn(S,Se)₂薄膜．为了了解热处理对CuIn(S,Se)₂薄膜断面成分均匀性的影响,对经"一段式"热处理(500 ℃)和"二段式"热处理(250 ℃保温然后500 ℃)的样品进行了研究．XRD测试结果表明,经过"一段式"热处理后的样品XRD(112)峰出现劈裂现象,而经过"二段式"热处理的样品XRD(112)峰比较匀称．GIXRD和EDS测试证明样品经过"二段式"热处理后断面成分均匀性较好．通过XRD 和Raman测试对两种热处理下的反应机理进行了研究,阐述了两种热处理对CuIn(S,Se)₂薄膜断面成分均匀性的影响的内在原因．     

Optimizing back surface field for improving Voc of(Al)GaInP solar cell

GaInP and AlGaInP solar cells were grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), and theoretical analysis demonstrated that hetero-interface recombination velocity plays an important role in the optimizing of cell performance, especially the interface between base layer and back surface field (BSF). Measurements including lattice-matched growth and pseudo-BSF were taken to optimize BSF design. Significant improvement of V_oc in GaInP and AlGaInP solar cells imply that the measures we took are effective and promising for performance improvement in the next generation high efficiency solar cells.     

A 2.05 eV AIGaInP sub-cell used in next generation solar cells

An Al0.13GalnP sub-cell used as the top cell in the next generation of high efficiency multi-junction solar cells is fabricated. An efficiency of 10.04% with 1457.3 mV in Voc and 11.9 mA/cm2 in Isc was obtained. QE comparison was carried out to verify the influence of an O-related defect introduced by the high Al-content materials on the cell performance during MOCVD growth. Hetero-structures are employed to confirm the origin of the decreasing short circuit current density compared to a GalnP single junction solar cell. An effective method to improve the performance of broadband solar cells by increasing Isc with a cost of Voc was proposed.     

应用于下一代太阳电池的2.05 eV AlGaInP 子电池研究

研制了应用于下一代高效多结太阳电池中的定电池的 Al0.13GaInP子电池,其实验室效率为10.04%,开路电压为1457.3mV,短路电流为11.9mA。使用量子效率来验证MOVPE生长过程中涉及高Al组分引起的O缺陷对电池性能的影响。相比GaInP单结电池,Al0.13GaInP电池的短路电流下降地较为厉害,实验中生长了GaInP/Al0.13GaInP异质结电池来分析其原因,因此也提出了以牺牲部分开路电压来提升短路电流的一种有效提升电池性能的方法。     

InGaAsP/InGaAs双结太阳电池的开路电压损耗抑制

现有1.0eV/0.75 eV InGaAsP/InGaAs双结太阳电池的开路电压小于各子电池的开路电压之和,鲜有研究探索开路电压损耗的来源以及如何抑制。通过研究发现,InGaAs底电池背场/基区界面处的少数载流子输运的主要机制是热离子发射,而不是缺陷诱导复合。SIMS测试表明,采用InP或InAlAs背场均不能有效抑制Zn掺杂剂的扩散。此外,由于生长过程中持续的高温热处理.,III-V族主元素在界面处发生了热扩散。为了抑制上述现象,提出了一种新型InP/InAlAs超晶格背场,并应用到InGaAs底电池中。制备得到的双结太阳电池在维持短路电流密度不变的情况下,开路电压提升到997.5 mV,与传统采用InP背场的双结太阳电池相比,开路电压损耗降低了30 mV。该研究成果对提升四结太阳电池的整体开路电压有重要意义。