LD泵浦Nd:GdVO4 晶体Cr4+:YAG 被动调Q 激光脉宽控制

采用LD 泵浦技术, 实现了Nd:GdVO4、Cr4+:YAG 被动调Q 1.06 μm 激光运转。通过改变泵浦光束在激光晶体内的分布以及Cr4+:YAG 晶体在腔内的位置, 实现了LD 泵浦Nd:GdVO4 晶体Cr4+:YAG 被动调Q 激光器的脉宽控制。根据由ABCD 矩阵传输理论计算得出的腔内模式半径沿腔轴的变化关系, 考虑激活介质热效应以及泵浦光强和腔内振荡光强的空间高斯分布, 给出了LD 泵浦Nd:GdVO4 晶体Cr4+:YAG 被动调Q 激光的耦合速率方程组, 数值求解该方程组, 获得了脉冲宽度随饱和吸收体在激光腔内位置和泵浦光在激活介质内分布的变化关系, 理论计算与实验结果相符。     

高重复率RTP电光调Q Nd：YAG激光特性研究

RTP(RbTiOPO4)是一种新型电光晶体,具有高电阻率、大电光系数、高抗光伤阈值等优点.成为理想的电光调Q晶体.采用两块4 mm×4 mm×5.3 mm的RTP晶体作为电光开关,实现了高重复率RTP电光调Q Nd:YAG 1 064 mm激光运转,获得了不同重复率、不同输出镜透过率情况下单脉冲能量和脉冲宽度与泵浦能量的依赖关系.随着泵浦能量的增加,脉冲宽度变窄,脉冲能量变大.在相同的泵浦能量下,重复率越大,脉宽越宽,脉冲能量越小.在平面渡近似下,给出了RTP电光调O Nd:YAG激光运转的耦合速率方程,数值求解方程的理论计算与实验结果相符.     

LD泵浦Nd∶GdVO4晶体Cr4+∶YAG被动调Q激光特性研究

考虑腔内光子数密度的空间高斯分布以及晶体热效应的影响,给出了LD泵浦Nd∶GdVO4晶体Cr4+∶YAG被动调Q 1.06 μm激光的耦合速率方程组.数值求解该方程组获得了输出激光的脉冲宽度、重复率、峰值功率以及单脉冲能量随泵浦功率的变化特性,其理论值与实验结果相符.     

内腔倍频被动调Q Nd:YVO4/KTP绿光的脉宽控制

分别改变饱和吸收体在激光腔内的位置及抽运光的束腰在激光晶体中的位置，实现了对激光二极管（LD）抽运Nd：Nd：YVO4／KTP腔内倍频Cr^4＋：YAG被动调Q绿光的脉宽控制。在抽运功率1．52w的条件下，脉冲宽度可以控制在388～616ns之间，同时获得了激光脉冲的重复频率、单脉冲能量及峰值功率的变化范围分别为4．4～26．3kHz，0．52～4．19μJ和1．0～7．2w。考虑腔内光子数密度的高斯空间分布以及抽运光的空间分布，给出了描述调Q激光器工作原理的耦合速率方程组，其数值解与实验结果相符。     

LD泵浦GaAs被动调Q c-cut Nd:GdVO4/KTP激光特性研究

采用三镜折叠腔,对LD泵浦c-cut Nd:GdVO4晶体、KTP内腔倍频、GaAs被动调Q激光特性进行了研究,测量了平均输出功率,脉冲宽度,脉冲重复率,单脉冲能量以及峰值功率随泵浦功率的变化关系,并与a-cutNd;GdVO4/KTP绿激光特性进行了比较.同时,给出并求解了速率方程组,所得的理论值与实验结果相一致.     

GaAs可饱和吸收体本征点缺陷的第一性原理计算与模拟

GaAs可饱和吸收体中的深能级缺陷(EL2缺陷)对其被动调Q性能有着重要的影响,因此有必要对EL2缺陷的微观结构及形成机理做进一步研究.用基于密度泛函理论的平面波赝势法首先对GaAs本征点缺陷(镓空位、砷空位、镓替代砷、砷替代镓、镓间隙、砷间隙)存在时的晶格结构进行优化,得到其稳定结构;然后通过各缺陷形成能的计算可得知...     

电光-GaAs主被动双调Q激光特性研究

为了研究调Q激光脉冲波型的对称性,利用电光调制和GaAs半导体饱和吸收体,实现了电光-GaAs主被动双调Q激光运转。与单一电光主动调Q或GaAs被动调Q激光对比,双调Q激光的脉冲宽度更窄、脉冲波型更对称,其脉冲宽度的压缩比大于40%。定义了一个对称因子来描述脉冲波型的对称性,对称性的改善优于10%。在平面波近似下,给出了双调Q激光运转的耦合方程组,数值求解方程组得到的理论值与实验结果相符。     

LD泵浦Nd∶YVO_4/KTP内腔倍频声光调Q理论和实验研究

给出了Nd∶YVO4/KTP内腔倍频声光调Q工作原理的耦合波速率方程组实现了半导体激光器(LD)抽运折叠腔倍频声光调Q绿激光的运转,在抽运光功率3.8W、重复频率10kHz时,获得绿光脉冲宽度为33.2ns,单脉冲能量为59.6μJ,峰值功率达到1.8kW数值求解耦合波方程组理论值与实验结果相符     

Diode-pumped passively Q-switched Nd:YVO_4 laser with GaAs saturable absorber

The intracavity photon density is assumed to be of Gaussian spatial distributions and its longitudinal variation is also considered in the rate equations for a laser diode (LD) end-pumped passively Q-switched Nd:YVO4 laser with GaAs saturable absorber. These space-dependent rate equations are solved numerically. The dependences of pulse width, pulse repetition rate, single-pulse energy, and peak power on incident pump power are obtained. In the experiment, the LD end-pumped passively Q-switched Nd:YVO4 laser with GaAs saturable absorber is realized and the experimental results are consistent with the numerical solutions.     

光电子材料光学参数的无损检测

利用消光式椭圆偏振光谱法 ,在室温下可见光区对光电子材料镓铟磷的光学参数进行了测量 ,得到该材料的折射率和吸收系数随光子能量的变化关系曲线 ,并对结果进行了分析和讨论 ,给出了镓铟磷带隙的位置