多晶硅压力传感器灵敏温度系数自补偿技术研究

介绍了硅压力传感器的灵敏温度系数补偿原理,给出了一种在宽温度范围内采用二次补偿灵敏度温度系数的方法,实现了宽范围较高的补偿精度.具体方案是把压阻式惠斯登电桥与温度传感器、可微调多晶硅电阻集成在一个芯片上,通过优化多晶硅电阻的掺杂浓度和改变激励源的温度特性,从而实现对多晶硅压力传感器灵敏温度系数的二次补偿作用.经补偿,传感器的灵敏温度系数小于-1.5×10-4/℃,该方法的补偿温度范围为20℃～ 150℃,通用性强.     

磁控反应溅射SnO2薄膜的气敏特性研究

为研究SnO2薄膜的气敏特性,采用直流磁控反应溅射法制备了SnO2薄膜。探讨和分析了SnO2薄膜气敏元件的敏感机理。对SnO2薄膜的电阻和灵敏度的测试以及对实验结果的分析表明:SnO2薄膜厚度在150~400nm为宜,一般膜厚在250nm时较为敏感。在SnO2薄膜中掺入Pd、Pt、Ag等微量杂质可大大提高SnO2薄膜气敏元件的灵敏度,且使灵敏度的峰值向低温方向移动,增强了对H2、CO和C2H5OH等可燃气体的选择性、响应时间由3min缩短到0.5s以下。     

BGA无铅焊点零空洞缺陷控制研究

在无铅BGA封装工艺过程中,通过不同组分的BGA焊球合金与焊膏合金组合焊接、焊膏助焊剂活性剂不同配比及其不同再流焊接条件等实验,对焊料合金和助焊剂配比、再流焊接峰值温度、再流保温时间等参数变化,以降低BGA焊点空洞缺陷进行了研究。结果表明选用相同或相似的BGA焊球和焊膏合金组合焊接、选用活性强的焊膏、选择焊接保温时间较长均有助于降低BGA焊点空洞缺陷产生的几率和空洞面积,BGA焊点最佳再流焊接峰值温度为240℃,当峰值温度设置为250℃时,BGA焊点产生空洞缺陷几率会比240℃高出25%～30%。     

双通道声卡构成多通道数据采集系统

介绍了一种采用通用具有双模拟输入通道声卡构成多通道数据采集系统的方法，并介绍这种方法在施工噪声监测系统中的应用，应用表明这种方法的实用价值。     

LED封装中的散热研究

文章论述了大功率LED封装中的散热问题,说明它对器件的输出功率和寿命有很大的影响,分析了小功率、大功率LED模块的封装中的散热对光效和寿命的影响。对封装及应用而言,增强它的散热能力是关键技术,指出对大功率LED和LED模块散热设计很重要,因为大功率白光LED的光效和寿命取决于其散热。目前大功率LED的重点是提高散热能力,说明封装结构和封装材料在提高大功率LED散热中的影响,LED模块的散热是未来的重点。通过选用高热导率材料可以使温度得到显著控制,重点论述了封装的关键技术,最后指出了未来LED封装技术的发展趋势。     

低温烧结多层叠片式压电陶瓷变压器

介绍了普通压电陶瓷变压器的结构和工作原理，分析了低温烧结PZT压电陶瓷材料的配制及其主要性能，以及如何利用其来实现低温烧结型多层叠片压电陶瓷变压器，最后对低温烧结型多层叠片压电陶瓷变压器的主要应用、空载和负载特性进行了讨论。     

多品硅压力传感器灵敏温度系数自补偿技术研究

介绍了硅压力传感器的灵敏温度系数补偿原理 ,给出了一种在宽温度范围内采用二次补偿灵敏度温度系数的方法 ,实现了宽范围较高的补偿精度。具体方案是把压阻式惠斯登电桥与温度传感器、可微调多晶硅电阻集成在一个芯片上 ,通过优化多晶硅电阻的掺杂浓度和改变激励源的温度特性 ,从而实现对多晶硅压力传感器灵敏温度系数的二次补偿作用。经补偿 ,传感器的灵敏温度系数小于 - 1.5× 10 - 4/℃ ,该方法的补偿温度范围为 2 0℃～ +15 0℃ ,通用性强。     

一种变频控制方法及其软件实现

介绍一种基于DDFS的变频控制方法,并用MCS-51单片机实现软件,这种DDFS基变频控制方法频率分辩率高,在整个频率范围,频率步进均匀,可广泛用于各种变频调速等电力电子系统中。     

低电压氧化锌压敏电阻器

叙述了压敏电阻器的特性、微观结构、导电机理。分析了实现低电压氧化锌压敏电阻器的方法——增大氧化锌半导体瓷晶粒直径和压制厚度很薄的氧化锌半导体瓷片。探讨了低压氧化锌独石型、薄膜体型压敏电阻器的主要特性和其制造工艺的关键技术。