二氧化铪材料中Cu的最佳迁移路径

The movement of Cu in a HfO2-based resistive random access memory （RRAM） device is investigated in depth by first-principle calculations. Thermodynamics analysis shows that the dominant motion of Cu tends to be along the [001] orientation with a faster speed. The migration barriers along different routes are compared and reveal that the [001] orientation is the optimal migration route of Cu in HfO2, which is more favorable for Cu transportation. Furthermore, the preferable HfOz growth orientation along [100], corresponding to Cu migration along [001], is also observed. Therefore, it is proposed that the HfO2 material should grow along [100] and the operating voltage should be applied along [001], which will contribute to the improvement of the response speed and the reduction of power consumption of RRAM.     

一种高保障和低投入的电子邮件服务方案

采用基于DNS的MX记录来实现多互联网线路和多机器冗余的高保障邮件系统,并使用LINUX 下的反病毒和垃圾邮件开源软件MailScanner等措施,来保护邮件的安全和稳定。     

用弱束技术研究Co对γ—γ’双相合金层错能的影响

层错能(γ)是奥氏体合金的一个重要性能,对于Ni基高温合金,γ值的大小直接影响合金的高温性能,故准确测定γ值,对合金的成分设计具有指导意义。过去测定γ值多采用x光法或位错结点法但这两种方法都具有局限性,前者不能用于双相合金,而后者的准确度较差。本文利用弱束技术,研究了不同含Co量的γ—γ′双相合金U—700的层错能,其方法是利用弱束成象的高分辨率,(～1nm),在EM400T电镜上获得两条分开的偏位错象(见图1)。准确的测定这两条位错的间距(测量误差在±7A范围之内)。然后用各向异弹性理论导出的层错能公式:     

日志和规范应用程序块的研究及应用

日志和规范应用程序块是微软成员开发的企业程序库中的应用程序块中的一个。简单介绍了微软开发的企业程序库,重点研究日志和规范应用程序块并详细叙述开发人员如何在.net应用程序中嵌入标准的日志和规范功能。     

缺陷相互作用对HfO2基阻变存储器件均匀性的影响：第一性原理研究

The physical mechanism of doping effects on switching uniformity and operation voltage in Al-doped HfO₂ resistive random access memory（RRAM） devices is proposed from another perspective:defects interactions, based on first principle calculations.In doped HfO₂,dopant is proved to have a localized effect on the formation of defects and the interactions between them.In addition,both effects cause oxygen vacancies（V_O） to have a tendency to form clusters and these clusters are easy to form around the dopant.It is proved that this process can improve the performance of material through projected density of states（PDOS） analysis.For V_O filament-type RRAM devices, these clusters are concluded to be helpful for the controllability of the switching process in which oxygen vacancy filaments form and break.Therefore,improved uniformity and operation voltage of Al-doped HfjO₂ RRAM devices is achieved.     

基于AT89C51的单片机总线扩展技术

介绍了采用总线驱动器和3-8译码器对基于AT89C51控制系统I/O总线进行扩展,扩充了 89C51的I/O总线,增强了89C51的负载能力。     

日志和规范应用程序块的研究及应用

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基于AT89C51的单片机总线扩展技术

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用X射线能谱(TEM)分析晶界偏析的方法

本文利用EM400T透射电子显微镜和EDAX9100能谱仪研究微量元素在晶界的偏聚。通过本文采用的电子束直径小到40A的微探针,低背底样品台,沿晶界拉长束斑,分段积分等措施,明显地提高了分析灵敏度。用这种方法测量了含磷820ppm的Si-Mn高强度钢和含镁94ppm的GH169高温合金中P和Mg的晶界偏析,测出含P820ppm钢的晶界区含P量为0.46％,经计算后相当晶界含P量为2.3％,而用俄歇谱仪测出晶界含P量为1.2～3.9％。同样测出含P160ppm钢的晶界含P量为1.5％。对含Mg94ppm的GH169高温合金,测出晶界含Mg量为1.8％,而含MC型炭化物的晶界含Mg量更高,达4％。