改进的基于STUMPS架构的BIST电路设计

传统的STUMPS测试方法,存在测试时间长和故障覆盖率不够高的缺点.为减少测试时间,采用Test-Per-Clock方式和向量压缩的方法处理待测电路CUT;减少了测试时间;用随机测试模式加存储测试模式,来提高故障覆盖率.经ISCAS'85标准测试电路验证,新方案取得了令人满意的结果.     

SOC设计SI分析优化方法研究

基于集成电路规模与设计工艺不断发展的现状,SI问题日益突出和严重。系统介绍了SOC设计SI的概念、分类及产生基理,根据电路工程设计经验,重点阐述了在SOC设计SI的设计、优化、分析方法,介绍了利用EDA设计工具在芯片设计过程中对SI进行阻止、优化、分析的流程及方法,并对各种设计优化方法进行了利弊的对比分析,对芯片设计提供了很好的指导,结合EDA工具及合理的设计流程方法能够有效的保证芯片设计的良率和性能。     

Improving performances of ITO/GaP contact on AlGaInP light-emitting diodes

In this paper AlGaInP light emitting diodes with different types of electrodes:Au/Zn/Au-ITO Au/Ti-ITO Au/Ge/Ni-ITO and Au-ITO are fabricated. The photoelectricity properties of those LEDs are studied. The results show that the Au/Zn/Au electrode greatly improves the performance of LEDs compared with the other electrodes. Because the Au/Zn/Au electrode not only forms a good Ohmic contact with indium tin oxide (ITO), but also reduces the specific contact resistances between ITO and GaP, which are 1.273×10-6 ·cm2 and 1.743×10-3 ·cm2 between Au/Zn/Au-ITO and ITO-GaP respectively. Furthermore, the textured Zn/Au-ITO/Zn electrode is designed to improve the performances of LEDs, reduce the forward-voltage of the LED from 1.93 to 1.88 V, and increase the luminous intensity of the LEDs from 126 to 134 mcd when driven at 20 mA.     

新型红光LED中ITO的特性研究

用真空电子束蒸镀的方法制备半导体发光二极管LED 所用的ITO(indium tin oxide)膜。利用TLM(transmission line model)研究ITO与GaP接触特性。在氮气环境,435℃条件下,快速热退火40s能获得最小的接触电阻4.3×10-3Ωcm2。Hall测试和俄偈电子能谱表明,影响接触电阻的主要原因是ITO载流子浓度的改变和In,Ga,O的扩散。另外,制作了以300nm ITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED并研究其可靠性。发现ITO的退化导致了LED的电压持续升高。而ITO与GaP热膨胀系数的不同导致了LED的最终失效。     

一种基于队列线性等待的HSDPA分组调度算法

文中主要研究了适合TD-SCDMA增强技术HSDPA的分组调度算法,针对QoS要求不高的非实时业务的正比公平调度算法的比例关系,提出了一种适合非实时业务的简单的基于队列线性等待的HSDPA分组调度算法。通过仿真分析可知,该算法具有可行性,且比正比公平算法有着更好一些的性能。     

改进的大规模集成电路测试方法

为了提高大规模集成电路可测性设计（Design For Test,DFT）的故障覆盖率,减少测试时间,通过分析自我测试（Self-Testing Using MISR and Parallel SRSG,STUMPS）方法中的测试机制,找出了其测试效果不理想的原因,提出了改进型的大规模集成电路的测试方法,用C语言编写了故障模拟程序,并且在ISCAS’85标准测试电路上进行了验证。     

一种基于可变形部件模型的快速对象检测算法

为了解决可变形部件模型检测过程中的速度瓶颈问题,该文针对模型的检测流程,提出一种结合快速特征金字塔计算的级联可变形部件模型。由于模型的检测速度主要取决于特征计算以及对象定位这两个过程,提出一种两阶段的加速算法：首先采用尺度上稀疏采样的特征金字塔来近似表示精细采样的多尺度图像特征,以加快特征计算过程;然后在定位过程中结合级联算法,以一个序列模型顺序地评估各个部件,从而快速剪除大部分可能性较小的对象假设,以加快对象定位过程。在PASCAL VOC 2007和INRIA数据集上的实验结果表明,该算法可以明显加快检测速度,而检测精度仅略有下降。     

AlGaInP系LED的表面纳米级粗化以及光提取效率提高

分析了常规AlGaInP系发光二极管（LED）光提取效率低的主要原因,半导体的折射率与空气折射率相差很大,导致全反射使有源区产生的光子绝大部分不能通过出光面发射到体外。通过在LED出光层采用纳米压印技术引入表面纳米结构,以改变光子的传播路径,从而使得更多的光子能够发射到体外。理论分析与实验结果表明,与常规平面结构相比,...     

时钟网格与时钟树设计方法对比研究

基于片上偏差对芯片性能的影响,分析对比了时钟树设计与时钟网格设计,重点分析了时钟网格抗OCV影响的优点,并利用实际电路应用两种方法分别进行设计对比,通过结果分析,验证了理论分析的正确性,证明在抗OCV及时序优化时钟网格方法具有很大的优势。     

高功率脉冲磁控溅射的阶段性放电特征

本文从放电靶电流出发,采用一种新的研究方法,即将靶电流分解为多个代表具体放电特性的特征参数,全面而系统的研究了不同的工作气压条件下,靶电流各特征参数随靶电压的增加而进行的演化.结果发现高功率脉冲磁控溅射技术(HPPMS)放电靶电流在靶电压由低向高增加的过程中,出现靶电流峰值和平台值的交替变化,体现出明显的阶段性放电特征,且不同的放电阶段在不同气压下出现一定的移动,会在测量范围内出现某些放电阶段的缺失.本文还通过等离子体发射光谱对HPPMS放电靶前等离子体测量发现五个不同的放电阶段分别主要对应氩原子、铬原子、氩离子、铬离子和氩、铬高价离子的放电,但不同的放电条件下相邻的阶段会出现一定程度的交叠.