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关于我省数字化城市建设的几点思考 总被引：3，自引：0，他引：3
通过对国内外数字化城市建设现状的分析 ,结合我省实际情况 ,提出我省建设数字化城市的对策及建设内容和原则 ,强调政府的组织行为 ,发挥社会各界的积极性 ,充分利用现有资源 ,以建设数字化城市门户网站为先导 ,快速启动全省数字化城市建设。 相似文献
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采用金属有机化学气相沉积技术生长了GaN基多量子阱(MQW)蓝光发光二极管外延片,并采用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和光致光谱仪(PL)表征晶体质量和光学性能,其他的光电性能由制成芯片后测试获得,目的是研究外延片p型AlGaN电子阻挡层Mg掺杂的优化条件.结果表明,在生长p型AlGaN电子阻挡层的Cp2Mg流量为300 cm3/min时,蓝光发光二极管获得最小正向电压VF,而且在此掺杂流量下的多量子阱蓝光发光二极管芯片发光强度明显高于其他流量的样品.因此可以通过优化AlGaN电子阻挡层的掺杂浓度,来显著提高多量子阱蓝光发光二极管的电学性能和光学性能. 相似文献
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便携式防空系统（MANPADs）、各类红外制导导弹等红外热寻的武器是民用、军用飞机重要的威胁。随着红外成像探测器被广泛用于热寻的制导武器,传统的红外干扰机、曳光弹难以形成有效对抗,以红外波段激光作为光源的红外定向对抗（DIRCM）系统是目前对抗热寻的武器的有效手段。文中回顾了目前有代表性的红外定向对抗系统,分析阐述用于红外定向对抗系统中的激光器关键技术,给出红外成像探器致眩区域计算方法,并讨论展望红外对抗激光器技术的发展趋势。 相似文献
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大功率DPL泵浦源LD的热管理技术是制约二极管泵浦固体激光器工程应用的瓶颈之一。介绍了二极管泵浦固体激光器的工作过程,设计通过半导体制冷片对LD实施温度控制。主要针对DPL的高温应用环境,对泵浦源LD的散热通道进行分析和计算,设计了可以在高温环境下正常工作的DPL工程样机。该样机主要性能指标：输出峰值功率大于100 kW,激光脉宽为5 ns,重频10 kHz。对该样机进行高低温环境试验,获得试验数据并得出结论：在高温50 ℃情况下,LD可以连续稳定工作 30 min以上。 相似文献
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利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)及原子力显微镜(AFM)研究了低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响.结果表明,低温AlN插入层不同的生长温度会导致AlGaN/GaN量子阱不同的表面粗糙度及穿透位错密度,并且当生长温度达到640℃时样品中表面粗糙度及穿透位错密度达到最低,同时具有最高的载流子迁移率及带边发光峰强度.在不同的生长温度,低温AlN表面具有不同的表面形貌.不同的表面形貌将直接影响界面处位错主滑移系的开动及位错阻挡机制.通过分析可以得知,低温AlN不同的表面形貌是由于Al原子在不同温度下的不同的迁移机制造成. 相似文献
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介绍为高重复频率脉冲氙灯工作所设计的谐振式逆变电源。文中分析了谐振逆变器的原理及数学模型,主电路采用了高频谐振逆变技术,使整个电源具备了体积小、重量轻、电磁兼容性好等诸多特点。 相似文献
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创新性地提出一种经济高效的碳化硅表面亚微米减反射结构制作工艺,即＂黑碳化硅技术＂。该方法无需光刻,采用非完全后烘的光刻胶微掩膜反应离子刻蚀（RIE）工艺,克服了碳化硅材料由于高硬度和高化学稳定性而无法采用传统硅材料湿法工艺的困难。利用该技术,已在4英寸（1英寸=2.54 cm）4H-SiC单晶片表面成功制作出网格状亚微米阵列结构,其深度为200-300 nm。测试结果表明,该结构可以在390-800 nm的波长范围内使SiC表面平均反射率至少降低20%。可以应用于SiC材料制作的中间带太阳电池及紫外探测器件,提升器件的量子效率;或作为高功率GaN LED的生长衬底,增强LED的光出射效率。 相似文献
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本文介绍了在高锰钢的轻气炮冲击实验中的一些改进措施和参数的选取，并介绍了对实验后的试件进行硬度测量的结果在爆炸硬化上的应用及对爆炸硬化的指导作用，此外，本文还测量出高锰钢的冲击波速度随所受击压力变化而变化的规律。 相似文献
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