首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   7篇
  免费   0篇
  国内免费   1篇
化学   1篇
物理学   2篇
无线电   5篇
  2013年   2篇
  2010年   1篇
  2009年   1篇
  1996年   2篇
  1991年   1篇
  1988年   1篇
排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 375 毫秒
1
1.
端镜面镀膜对具有DC—PBH结构的MQW—LD光电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
报告了具有DC-PBH(双沟平面掩埋异质结构)的MQW-LD(多量子阱激光器)端镜面镀膜对阈值电流Ith和激射波长γp的影响。指出:端镜面镀高反射膜HR(反射率R2=75% ̄90%),Ith可降低3.8 ̄5.1mA,γp加长4nm左右;端镜面镀增透膜AR(反射率R1=10% ̄15%),Ith将增加3mA,波长变化趋势不明显。分析和讨论了导致这些变化的物理机理。实验结果和理论计算基本一致。  相似文献   
2.
利用原子力显微术的轻敲模式(TM-AFM),并采用形貌与相位同时成像技术对强流脉冲离子束(IPIB)辐照前后试样表面进行了系统标征,得到了试样表面的高度像及相位像的衬度.分析结果表明:在高流强密度、多次脉冲条件下,IPIB辐照可使试样表面变得光滑化,从相位像中可以定性分析出辐照后表面硬度也得到一定程度的提高.  相似文献   
3.
建立检测车前草中总黄酮含量的高效液相色谱法,探索车前草黄酮苷的水解条件.通过水解车前草黄酮提取物,将黄酮苷水解成苷元,再用HPLC法测定水解后车前草黄酮苷元含量.以Shim-pack VP-ODS (150L×4.6,10μm)为分析柱,流动相为甲醇-0.1%磷酸水溶液梯度洗脱,流速为1.0mL/min,检测波长为360nm,柱温30℃,采用峰面积外标法计算含量.通过比较水解前、后黄酮苷元的检测量,发现水解后检测到黄酮量高.此法测得车前草中槲皮素的含量为1.36mg/g,木犀草素的含量为0.35mg/g,黄芩素的含量为0.89mg/g,3种苷元的含量之和为2.60mg/g.首次以水解后的车前草总黄酮苷元作为车前草黄酮含量的评价指标,首次建立了水解-HPLC法检测车前草黄酮含量,为测定车前草及其提取物中黄酮类化合物的含量提供了灵敏、准确和快速的测定方法,为不同品种和产地的车前草及其提取物质量监控提供依据.  相似文献   
4.
介绍影响 InGaAsP/InP 双异质结激光器可靠性的一个主要因素——热阻。通过分析表明,焊料的选择是决定器件实际寿命的关键因素。实验中采用不同的锡(Su)焊料,结果表明,对于高可靠的 InGaAaP/InP 双异质结激光器,金锡焊料(AuSn)是理想的选择。  相似文献   
5.
获取了1-甲基胸腺嘧啶(MT)涵盖紫外光谱中A带和B带吸收的共5 个激发波长的共振拉曼光谱, 并结合密度泛函理论方法研究了MT的电子激发和Franck-Condon 区域结构动力学. 在TD-B3LYP/6-311++G(d,p)计算水平下, A带和B带吸收被分别指认为πH→πL*H-2→πL+2*和πH→πL+2H-2→πL*跃迁. 甲基参与嘧啶环的共轭使MT的A带最大吸收波长λmax相对于胸腺嘧啶(T)发生明显红移, 并对Franck-Condon区域的动态结构产生一定影响. A带和B带共振拉曼光谱分别被指认为14 个振动模式和11 个振动模式的基频、泛频和组合频. C5=C6伸缩+C6H12面内弯曲振动v9, 环变形振动v16和N3C2N1反对称伸缩+C4C5C10反对称伸缩振动v18占据了A带共振拉曼光谱强度的绝大部分. 这表明1πHπL*激发态结构动力学主要沿这些反应坐标展开. 考察了溶剂对共振拉曼光谱的影响, 结果表明, C4=O9伸缩+N3H11面内弯曲振动v8的活性与溶剂性质有关, 其激发态位移量随溶剂性质的变化规律与胸腺嘧啶一致.  相似文献   
6.
针对带LCL滤波的并网电压源型逆变器提出了一种多环控制器。该控制器由内环预测电流控制器、外环电压矢量控制器及电压指令补偿器三部分组成。将该控制器应用于微电网中微型电源的逆变器中,可以有效调节负载端电压,尤其是当系统中含不平衡和非线性负载时,均可以实现零静态误差。最后,给出了分布式电源单独运行和联网运行时的带平衡、不平衡及非线性负载时的仿真分析  相似文献   
7.
8.
光纤全息术可用来拍摄远离全息实验台的物体或不易观察到的物内腔的全息图,本文研究了二次曝光实验和增设传象束后拍摄象面全息图的方法。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号