区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

注C~+外延硅的光致发光特性

在N型外延硅中注入C+并经高温退火形成了Si C沉积.不同条件下进行阳极氧化腐蚀后,在2 6 0 nm光激发下获得了340 nm和4 30 nm的紫外和紫光峰,它们的单色性很好,半高宽(FWHM)约为10 nm.在以上条件下Si C沉积并未多孔化,认为340 nm和4 30 nm峰可能源于样品中的C、O杂质镶嵌于纳米硅表面所形成的发光中心.讨论了各种发光中心形成的可能条件,并对实验结果做出了初步解释.     

在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H2退火效应

用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响.用傅里叶红外透射谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析.结果表明:高温退火后SiC膜的晶化程度明显提高,而且在薄膜中观察到了碳纳米线的形成.     

掺杂二氧化锡的二氧化钛的光学性质及其光催化特性

二氧化钛多相催化是一种极具前途的环境污染深度净化技术。 本文以钛酸四丁酯和四氯化锡为原料,无水乙醇为溶剂,采用溶胶-凝胶法制备了掺杂二氧化锡的二氧化钛薄膜和复合氧化物粉体。通过测量薄膜的吸收光谱推算光学能隙,结果发现掺杂样品的光学能隙比纯二氧化钛样品有所变小。随着热处理温度的提高,掺杂和纯二氧化钛样品的光学能隙都略微降低。X-射线衍射分析表明,复合氧化物粉体的热处理温度对样品的晶体结构和光催化性能有重要影响。以掺杂二氧化锡5 % 摩尔比的样品与纯二氧化钛对照,500 ℃以下热处理样品以锐钛矿结构为主,600 ℃热处理样品为锐钛矿与金红石相共存,并显示了较好的光催化性能。透射电子显微镜观察显示,同样600 ℃热处理,掺杂样品要比纯二氧化钛具有更小的颗粒尺寸。在700 ℃热处理的样品中,掺杂样品只存在金红石相而纯二氧化钛样品中仍存有锐钛矿相。用阿伦尼乌斯经验关系式推测的晶粒生长的活化能,纯二氧化钛47.486 kJ.mol, 掺杂5 % 摩尔比的复合氧化物样品33.103 kJ.mol。以亚甲基蓝为降解物质,考察了掺杂量和热处理温度对样品的光催化性能。     

纳米银对表面吸附核黄素分子光谱性质的影响

采用氧化还原法制备了纳米尺寸的银溶胶,研究了纳米银粒子对核黄素(Riboflavin,Ri)水溶液吸收光谱和荧光光谱的影响.Ri溶液中加入纳米银粒子,随着纳米银浓度的增大,吸收强度不断增强,372 nm处吸收峰红移,而444 nm处吸收峰蓝移,同时发生荧光猝灭现象.从无辐射通道增强、纳米银表面局域场减弱及Ri分子第一激...     

荧光光谱法研究注射用头孢美唑钠与牛血清白蛋白的相互作用

运用荧光光谱法研究了注射用头孢美唑钠(Cefmetazole Sodium,CS)与牛血清白蛋白(BSA)的相互作用.CS对BSA具有荧光猝灭作用,其猝灭方式为静态猝灭,求出了猝灭常数,结合常数及结合位点数.在297 K和311 K时用Stern-Volmer方程和热力学方程处理实验数据,得到了结合常数KA、热力学参数...     

Doping Effect on the Grain Growth of Spinel LiMn2O4 Prepared by Sol-Gel Methods

The cathode-active materials, Li1+yMxMn2-xO4 (M = Al, Co, Ni, Zn, y = 0.02, x = 0.02) powder, were synthesized by sol-gel method using LiOH, Mn(NO3)2 as the starting materials, citric acid as a carrier and Al(NO3)3·9H2O or Co(NO3)2·6H2O or Ni(NO3)2·6H2O or Zn(NO3)2·6H2O as dopants. The influence of different doping elements on the structural properties of the as-prepared samples was investigated by X-ray diffraction (XRD), infrared (IR) spectroscopy and scanning electron microscopy (SEM). X-ray diffraction patterns of the prepared samples were identified as the spinel structure with space group Fd3m. The grain size increases gradually as the sintering temperature rises and corresponding activation energies for the grain growth have been estimated using Arrhenius’ empirical relation.     

注C+外延硅的光致发光特性

在N型外延硅中注入C+并经高温退火形成了SiC沉积.不同条件下进行阳极氧化腐蚀后,在260nm光激发下获得了340nm和430nm的紫外和紫光峰,它们的单色性很好,半高宽(FWHM)约为10nm.在以上条件下SiC沉积并未多孔化,认为340nm和430nm峰可能源于样品中的C、O杂质镶嵌于纳米硅表面所形成的发光中心.讨论了各种发光中心形成的可能条件,并对实验结果做出了初步解释.     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

金属修饰半导体硅组成光电化学电池的研究

本文以n/n^+-Si和p/n^+-Si为基底, 通过铂、镍等金属膜表面修饰后组成光电化学电池, 探讨了金属/n-Si间的Schottky势垒对电池开路光电压的影响。研究了铂膜修饰电极的光电化学性能。用p/n^+-Si电极, 在65mW·cm^-^2的光照射下, 最佳电池的输出参数是: 开路光电压0.530V, 短路光电流47.6mA·cm^-^2, 填充因子0.35, 光电转换效率13.6%, 连续照光75小时, 电池性能基本稳定。