一种高速恒流输出驱动电路的设计

提出了一种新型的恒流输出驱动电路,该电路保持了传统电路的低负载电压调整率,同时,采用瞬间增强运放驱动的方式,提升了电路的开启速度.基于0.25 μm BCD工艺,完成HSPICE仿真.结果表明,电路的负载电压调整率近似为0;输出电流为30 mA时,电路的开启时间仅为10.3 ns;在不同输出电流下,电路开启时间的差异较小.该电路可应用于开关电源、手机充电器及LED显示屏等电路芯片中.     

MOS结构γ总剂量效应仿真模型研究

研究了对MOS结构的γ射线总剂量辐射效应进行Sentaurus TCAD仿真所需模型的有效性.仿真结果表明,Sentaurus TCAD提供的Radiation模型和Traps模型在氧化物中并不能被激活,而利用激活氧化物体区和Si/SiO2界面的Insulator Fixed Charges模型可以分别对γ总剂量辐射造成的氧化层固定电荷和Si/SiO2界面陷阱电荷进行有效的模拟仿真.