电泳法制备TiO_2纳米管/纳米颗粒复合薄膜的电化学阻抗谱分析(英文)

由于一维(1D)氧化钛纳米结构具有提高染料敏化太阳能电池(DSCs)中的电子传输性能从而进一步提高电池性能的特性,该领域吸引了越来越多研究者的关注.但是一维氧化钛纳米结构如何影响电子传输性能却少有报道.本研究利用电化学阻抗谱(EIS)分析来探索氧化钛纳米颗粒和纳米管复合薄膜的电子传输特性.使用两种不同尺寸(25和100nm)的纳米颗粒和纳米管作为原料,采用电泳沉积方法制备了氧化钛复合薄膜并研究了原料的组成对染料敏化电池的影响以获得最佳的组成.研究结果表明,在大颗粒的质量分数低于20%时,大颗粒的掺入有利于改善氧化钛薄膜的电子传递与电池性能.与完全由颗粒组成的薄膜相比,纳米管的加入有利于电子在氧化钛薄膜里的传输.纳米管、100nm颗粒及25nm颗粒的最佳质量比例为20:16:64.     

固相合成Gd2O2S:Pr陶瓷闪烁体粉末

本文采用固相反应合成Gd2O2S：Pr陶瓷闪烁体粉末,确定了固相反应时Gd2O3与S的配比分别约为Gd2O3与S总质量的88％和12％,并往其中成功地掺入了痕量Pr2O3,测量了GOS：Pr的荧光光谱,分析表明,制备出的GOS：Pr粉末的主发射峰位于512nm处,与硅光电二极管光谱感光度匹配。此法制备出的GOS：Pr粉末适于制造GOS：Pr闪烁陶瓷。     

TiO2颗粒表面无机包覆的研究进展

从表面处理的作用、过程、方法、种类、机理、影响因素等方面综述了二氧化钛颗粒无机包覆的研究进展,着重阐述了二氧化钛包硅、包铝的原理及工艺条件。     

采用谐振腔法研究透波材料的高温介电性能

根据H01n模可加热圆柱谐振腔磁场分量及电场分量的特性,利用谐振腔中活塞的滑动接触不损害谐振器的质量因素的谐振腔法,研究介电常数不大于200和介电损耗角正切不大于0．05的固体电介质在高温下及9-10GHz频率范围内的ε和tgδ,并对影响电介质高温介电性能测试精度的设备因素、计算方法和实验结果的应用等进行了分析与讨论．     

钛酸锶钡纳米管阵列薄膜的水热合成及其性能研究

以阳极氧化法制备的二氧化钛纳米管阵列为模板,结合水热法制备了钛酸锶钡纳米管阵列薄膜.讨论了Ba1-xSrxTiO3纳米管阵列薄膜的结构、形貌和电学性能.用X射线衍射仪表征其晶体结构;扫描电子显微镜观察其表面及断口形貌;以及用宽频介电阻抗谱仪测试其介电性能.结果表明:在较为温和的条件下用水热法制备了立方相及四方相的Ba1-xSrxTiO3纳米管阵列薄膜;纳米管孔径在65～ 80 nm之间,薄膜厚度可达10 μm以上;经热处理之后的薄膜样品在1 kHz介电常数可达338,介电损耗为0.46.     

钙钛矿太阳能电池:器件设计和I-V滞回现象

基于染料敏化太阳能电池发展起来的有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池经过不到5年的快速发展, 光电转换效率从最初的3.8%提高到了经过认证的17.9%. 但是常用结构的钙钛矿太阳能电池在性能测试过程中的电流-电压(I-V)曲线会随着测试器件扫描方向的不同而明显不同. 该现象被称为I-V滞回现象. 进一步研究发现I-V曲线还与扫描速度、起始测试的偏压值和光照历史明显相关. 本工作结合不同的器件构造, 就可能造成这种I-V滞回现象的不同原因进行了总结和分析, 并对如何获得可靠的光电转换效率的测试方法进行了评述.     

注浆成型碳化硅浆体的流变性能研究

采用羧甲基纤维素(CMC)作为改性剂对亚微米级SiC粉体进行了表面改性处理,通过沉降实验、粘度测试等方法,分析了CMC加入量及pH值对SiC浆料流变性能的影响,进行了注浆成型实验。结果表明:改性后SiC颗粒制备的浆料粘度有不同程度的降低,稳定性显著提高,固相含量高达60%,满足注浆成型要求。     

石英晶体中的腐蚀隧道缺陷

石英晶体中的腐蚀隧道缺陷是晶体结构中位错的宏观表现.腐蚀隧道缺陷不仅影响石英加工过程,由于石英晶体元器件常处于冲击、振动、温度变化、辐射等的环境中,腐蚀隧道缺陷也大大影响元器件的性能,降低结构强度.本文对腐蚀隧道进行了比较系统的分析,提出了减少、抑制晶体中腐蚀隧道缺陷的技术手段.     

TiC纤维表面SiC晶体的生长与形貌

用扫描电镜对ＴｉＣ质长纤维经高温处理后表面形成的ＳｉＣ晶体的形貌进行观察，发现其晶形是骸晶体，文中对这种骸晶的形成原因与生长机理作详细讨论。