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集成电路老炼的主要目的是模拟芯片的工作寿命,加偏压、加高温模拟产品最坏的工作条件,作为可靠性监控和从批次产品中剔除早期失效产品。取决于老炼时间的长短,早衰期或者损耗期的缺陷均可导致芯片的失效。第三代双倍数据率同步动态随机存储器目前还没有一套完整的老炼试验方法。基于设备XR8238A设计一套印制板,区别于传统的老炼试验模式,给芯片写入完整的数据,输出符合预期的波形,有效地完成了老炼过程测试,提供了第三代双倍数据率同步动态随机存储器产品出货平均故障间隔时间试验的一种方法,提升了集成电路老炼的效果。 相似文献
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介绍了在一定电压、电流值和反峰电压下的充放电试验方法,并经过深入分析归纳出设计电路中L,R元件参数的公式,为测试某型号脉冲电容器的质量及工作可靠性提供了依据.实验要求脉冲电容器充电电压10 kV,放电电流4 kA,重复频率可调6~10s/次,测试5000次.充电电源来用恒流充,具有速度快,效率高,对电容损伤小等优点,开关采用高压真空接触器;智能控制器来用FPGA控制,具有控制灵活,稳定性高,测量精度高等优点.放电回路是在RLC二阶电路欠阻尼状态下进行的.通过仿真,验证了元件参数设计正确. 相似文献
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采用水热法和光沉积法制备了Au/SrTiO_3纳米等离子体光催化剂。通过XRD、XPS、SEM、TEM、EDS和DRS等技术对光催化剂的结构、组成、形貌、粒子大小和光吸收性质等进行了表征,考察了Au/SrTiO_3纳米光催化剂在可见光照下的制氢性能。结果表明,采用水热法成功合成了SrTiO_3纳米粒子,通过负载Au纳米粒子后,由于表面等离子体共振效应,增强了其对可见光的吸收。此外,测试了不同Au负载量对SrTiO_3光催化剂在可见光照下制氢活性的影响,其中,5%Au/SrTiO_3光催化剂在可见光照下制氢活性最高,并对其光催化反应机理进行了进一步的探讨。 相似文献
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