低剪切混合方法制备炭黑/聚丙烯纳米复合材料及其电性能研究

采用一种在低剪切应力场下纳米复合材料的加工方法,制备得到纳米炭黑(CB)粒子在聚丙烯(PP)中以纳米尺度分散的聚合物导电复合材料.扫描电镜观察表明CB粒子在纳米复合材料中以纳米尺度存在,并均匀的分布在PP基体中.电性能测试发现,通过这种低剪切混合方法得到的纳米复合材料具有非常低的导电逾渗阈值(vc=2.49vol%)和较高的临界电阻指数(t=5.82),很大的偏离了普适逾渗理论.基于隧道逾渗模型对体系的电导率进行了模拟,并对CB的分散状态与导电网络的关系进行了分析.发现当纳米CB粒子以纳米尺度分散于基体中时,并不遵从接触导电机理,而是隧道逾渗机理在CB/PP纳米复合材料中起主导作用.     

一维相干阵半导体激光光束远场特性研究

研究了一维相干阵半导体激光器在远场的光束传输特性.通过建立数学物理模型,模拟计算了一维相干阵激光器的激光光束在远场的光强分布,分析了阵列长度、波长和占空比对不同距离处相干阵远场快慢轴方向光斑宽度的影响.研究表明,受一维相干阵半导体激光慢轴方向子光源相干作用的影响,在远场,相干阵半导体激光器的慢轴方向光斑宽度与快轴方向宽...     

相干阵激光光束普适性传输因子的研究

研究了子光源为基模高斯光束的相干阵激光光束的传输特性.通过理论模拟不同传输距离处光束横截面光强分布,同时分析主瓣与旁瓣峰值光强的比值随传输距离的变化规律,提出了无纲的相干阵激光普适性传输因子α.当0＜α＜0.85时,随着a值不断增加,相干阵激光光束传输特性逐渐偏离Talbot效应,光束横截面光强极大峰数目逐渐变少;尤其...     

两维相干阵激光远场主瓣特性分析

研究了两维相干阵激光光束主瓣的远场特性。建立了正方形和正六边形子光源排列的相干阵激光传输的数学物理模型,通过数值模拟与分析得出：采用高斯函数来描述相干阵激光光束的远场中心主瓣光强分布误差很小,可按照单孔径激光器的基模高斯光束传输规律来描述相干阵激光光束的传输规律。在此基础上,计算了远场中心主瓣能量占比,计算结果表明,远场中心主瓣能量占比几乎不受子光源数目的影响;而随着占空比的增加,中心主瓣能量占比逐渐增大。当相干阵激光的孔径完全装填时,正方形排列的激光光束中心主瓣的最高能量占比为79.1%;而正六边形排列的能量占比值为83.2%。     

质子注入对GaAs基器件隔离研究

质子注入参数对注入型垂直腔面发射激光器（Vertical cavity surface emitting laser, VCSEL）的电流限制孔径位置及电流限制效果具有较大影响。文中从质子注入的能量和剂量及其相互作用对VCSEL电流限制孔径的影响规律及机制出发,通过理论模拟分析了注入参数对质子分布及注入区电阻值的影响。在此基础上,采用VCSEL外延片进行了质子注入实验研究。实验结果和理论分析均表明:注入区电流隔离效果及质子分布受注入能量和剂量共同调控。当注入参数为320 keV、8×1014 cm?2时,经430 ℃、30 s退火后可得到结深约0.7 μm,平均射程距有源区约1.3 μm,电阻值达4.6×107 Ω?cm2的质子注入区。使用该参数制备的VCSEL器件实现了较好的激光激射,证明该质子分布不仅可避免VCSEL有源区损伤,而且能实现较好的电流隔离效果,满足VCSEL电流限制孔径的制备要求。研究结果对质子注入型VCSEL的芯片结构及工艺优化具有重要指导意义。     

利用Gyrator正则变换实现环形激光阵列的Talbot效应

本文对环形激光阵列的Talbot效应进行了研究,利用Gyrator正则变换推导了极坐标下环形激光阵列的Talbot效应和自成像条件,并进一步分析了其在分数Talbot距离处的成像规律.通过FDTD Solutions软件对环形激光阵列在分数Talbot距离处的空间分布、相位分布进行模拟,得到与理论计算相一致的结果.通过与一维激光阵列分数Talbot效应的空间分布、相位分布情况进行对比分析,环形激光阵列可有效消除一维激光阵列的Talbot边缘效应,获得等光强分布的Talbot自再现像,扩展了Talbot效应在环形激光相干阵列锁相的应用.     

铝粒径及成型压强对Al/PTFE冲击反应的影响

采用模压烧结法制备了不同成型压强下铝粉粒径分别为10、30和200μm的Al/PTFE试件,基于分离式霍普金森压杆(SHPB)试验装置进行冲击引发试验,试验过程中通过高速摄影装置记录活性材料的反应情况。试验结果表明:随着成型压强增大,试件的冲击反应速度阈值均呈现先增大后减小的趋势。铝粉粒径为10和30μm时,较高成型压强的试件能够于点火延迟时间1000～1100μs处发生反应,使试件冲击反应速度阈值骤降;铝粉粒径为200μm时,活性材料点火延迟时间均在600μs附近。在相同成型压强下,试件的冲击反应速度阈值随铝粉粒径增大而升高。活性材料的冲击点火反应与材料的微观缺陷、应力波在SHPB装置中的传播、应力脉冲幅值以及材料的破坏过程等因素相关。