单相六温区无变压器管式熔炼炉的研制

本文介绍了生产半导体致冷材料用的单相六温区无变压器管式熔炼炉的结构,恒温控制原理及性能特点,并与单温区、三温区熔炼炉性能进行了比较。这种炉控温能力强,成本低,节约能源,重量轻。     

赝三元热电烧结体材料制作技术的研究

本文以区熔法生长的Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｓｅ２Ｔｅ３高估值系数赝三元半导体致冷晶体为原料，采用冷压成型，在３８０－４４０℃条件下，经５ｈ烧结处理，可获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。这种材料从根本上克服了取向晶体沿生长轴方向发生劈裂和解理现象。     

光通信网物理层全光异或加解密技术研究

针对目前光通信保密系统中基于电信号处理的流密码加解密技术的局限性,提出基于全光信号处理的加解密技术;对几种典型的全光异或加密方案进行了研究,介绍了各自的工作原理、特点及研究进展;利用OptiSystem软件搭建了基于SOA-MZI(半导体光放大器-马赫-曾德干涉仪)异或门的全光加解密系统仿真模型,并基于HNLF(高非线性光纤)的自相位调制效应设计了一个优化结构对系统进行优化。研究表明:全光加解密技术具有优良的特性,能使整个光通信保密系统运算速率更高,传输更安全。     

光电池最佳负载研究

从理论上已证明了经典光伏理论(即“迭加理论”)应该修正。有关文献详细评述了“迭加理论”。本文根据新的光伏理论给出新的等效电路图,给出了光电池的最佳负载公式,可供光伏工作者参考。     

用电火花改变密立根实验中油滴荷电量

在密立根油滴实验中,过去常用X射线或放射性物质等改变电量。这种方法,一次改变的电荷量经常过多。尽管它们的剂量小,但是在整个实验中要用肉眼直接观测,所以必须采取防护措施。我们用电火花改变电量,其装置简单,防护措施也简单。用适当方法,一次照射基本可以改变一个单位电量。     

大尺寸赝三元半导体致冷材料的制备与性能

采用垂直区熔法制备了优值较高、利用率较大的直径为27mm的大尺寸P和N型Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3赝三元取向晶锭.并测试了其温差电性质,分析了制备条件对其影响.     

基于模糊综合评判的智能光网络考核模型的研究

为了能对学员在智能光网络网管操作学习过程中的掌握程度作出客观的评价,根据操作型考核评判的特点,对考核模型进行了分析与实现,提出了结合模糊评判与分层评价的综合评判模型。分析了网管操作评价的指标体系、各指标权值的选取,运用综合评判方法完成了对受训学员操作能力的有效评估,并且结合模糊运算给出了学员考核的具体分数值。最后,利用学员操作过程中产生的数据进行分析处理,对学员的考核评价结果进行验证。结果证明,本评判模型能对受训学员做出客观的评价。     

40 Gbit/s全光异或门性能仿真

为了提高基于SOA-MZI结构的全光异或门的输出消光比,优化系统性能,将SOA和HNLF相结合,在光通信系统设计软件OptiSystem7.0仿真平台上搭建了基于SOA-MZI的全光异或仿真实验模型,对两路40 Gbit/s的RZ码数据信号进行了全光异或仿真实验。利用HNLF的非线性效应设计了一种优化结构对基于SOA-MZI的全光异或输出信号进行优化,并对优化前后的信号时域波形图和系统眼图进行了比较分析,通过多次反复实验得到一组最佳的系统参数,使得基于SOA-MZI的全光异或门的输出消光比从10 dB提高到约28 dB。实验结果表明:常规的基于SOA-MZI的全光异或门由于相消干涉不彻底造成输出消光比较低,而经过优化,很好地解决了这种问题,提高了异或输出消光比,优化了系统性能。     

赝三元半导体致冷烧结材料致密性和强度的研究

研究了以高优值系数赝三元半导体致冷区熔生长晶体为原料,制作烧结体材料的工艺,确定出以颗粒度为74～297μm的晶体粉末,400MPa下冷压成型,在380℃～400℃条件下,经五小时烧结处理,获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。     

基于贝叶斯理论的测量误差预报与修正方法

针对动态测量过程的复杂性以及随机性,提出了基于贝叶斯理论的动态测量误差的建模、预报方法。该方法要求的数据量少,对动态测量误差序列的平稳性没有要求,并且能够充分利用预报过程中的主、客观信息来实时修正模型,提高预报精度。最后,通过Labview仿真验证了基于贝叶斯理论的动态测量误差预报方法具有较高的预报精度。