新型菲涅尔线聚光太阳电池组件特性分析

以PMMA为材料,采用热压成型工艺加工线聚焦菲涅尔聚光棱镜,对在其聚光条件下不同入射角度情况下太阳电池的电流电压特性进行测试,结果表明:该菲涅尔线聚焦棱镜能有效提高太阳电池的单位输出功率,而且具有比较宽泛的集光角的特性,基本满足实际应用的要求.     

新型菲涅尔线聚焦聚光太阳电池组件研究

以聚甲基丙烯酸甲脂为材料,采用热压成型工艺加工成型线聚焦菲涅尔聚光透镜(8×),可用于空间、地面光伏系统太阳电池组件的聚光系统,并对在其聚光条件下,太阳电池的电流电压特性进行测试,结果表明,该菲涅尔线聚焦棱镜能有效提高太阳电池的单位输出功率.模具的机械加工精度和光学抛光精度低,是造成其部分聚光率损失的原因.     

Integrated electroabsorption-modulated DFB laser by using an improved butt-joint method

An improved butt coupling method is used to fabricate an electroabsorption modulator (EAM) monolithically integrated with a distributed feedback (DFB) laser.The obtained electroabsorption-modulated laser (EML) chip with the traditional shallow ridge exhibits very low threshold current of 12 mA, output power of more than 8 mW,and static extinction ratio of-7 dB at the applied bias voltage from 0.5 to -2.0 V.     

GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长

本文采用自制的LP-MOCVD设备,外延生长出GaInP₂/GaAs/Ge叠层太阳电池结构片,对电池材料进行了X射线衍射测试分析.另外,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线.用此材料做出的叠层太阳电池,AMO条件下光电转换效率η=13.6%,开路电压V_oc=2230mV,短路电流密度J_sc=12.6mA/cm².     

利用半导体pn结结电容构成的沟道式电容器

为满足对电子系统中元器件性能提升、面积减小、成本降低等需求,利用感应耦合等离子体刻蚀技术(ICP),对低阻p型硅采用刻蚀、扩散、磁控溅射Al电极等工艺,使之形成凹槽状三维结构,制造出一种特殊的具有高密度电容量的硅基电容器。其特点是结构简单,电容量大(电容密度可达2.2×10–9F/mm2),容值可调,与现有微电子工艺兼容,可用于200MHz至数GHz的退耦或其他场合。同时由于半导体pn结固有的特性,该电容器可取代传统的贴片电容广泛用于电子系统中的退耦、滤波、匹配、静电和电涌防护等场合。     

高速可插拔光互连模块中信号的完整性设计

给出了一款双向4路并行14Gb/s光收发器的物理设计。分析了链路上的信号完整性设计,考虑了各个物理结构中不连续点,如差分过孔、AC耦合电容、金丝绑线、可插拔I/O接口,对传输特性的影响。从理论上分析了S参数谐振现象,找出导致谐振的原因,给出了用于分析此类问题的理论公式。通过对多种不连续结构进行电磁仿真和结果对比,提出具体的性能改进方案。通过整个链路的阻抗控制,插入损耗在10~15GHz内提高了1dB,S参数的谐振得到明显改善。最后,从时域的TDR和眼图测试角度对优化结构进行了验证。     

10Gbit／sX4小型可插拔并行光收发模块的研制

研制了一款基于系统级封装技术的低成本、收发一体和可带电热插拔的4通道小型可插拔（QSFP）光模块,采用850nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）阵列及其驱动器作为发射端,光电探测器（PD）阵列及其跨阻放大器（TIA）作为接收端,通过光路无源对准,实现了低成本光互连。高速度、高密度封装下的瞬态同步开关噪声、芯片间电磁干扰...     

用于10Gbit/s传输的对接集成DFB-LD/EA-MD光源

报道了用于10Gbit/s传输的DFB激光器和EA调制器对接集成器件的设计、制作和器件特性.工作主要集中于两个方面:提高激光器和调制器间的光学耦合;通过减小调制器电容提高调制带宽.集成器件显示出了良好的静态和高频特性:阈值电流典型值为15mA,最小值为8mA;100mA激光器偏置电流下,输出功率大于10mW;对消光比、电学回波损耗和调制带宽进行了测试,3dB带宽的测量值超过10GHz.     

TSV硅转接基板的可靠性评价方法

硅通孔(Through Si Vias,TSV)硅转接基板技术作为先进封装的一种工艺方式,是实现千级IO芯片高密度组装的有效途径,近年来在系统集成领域得到快速应用。TSV硅转接基板的细线条和与芯片相近的热导率可以解决陶瓷基板和芯片之间线宽和热导率不匹配的问题。随着硅基板技术的推广,其可靠性评价是应用前急需解决的问题。目前并没有关于TSV硅转接基板的可靠性评价要求的国内相关标准。从TSV硅转接基板的结构出发,借鉴国军标相关标准,形成了针对硅转接基板的可靠性评价方法,并进行了工程验证。验证结果表明通过有针对性的评价方法,可以反映出TSV硅转接基板的质量特性,实现可靠性评价。     

多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法

提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB LD集成器件(EML)耦合效率的对接生长方法.采用LP MOCVD外延方法,制作了对接方法不同的三种样片,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面.制作出相应的三种EML管芯,从测量所得到的出光功率特性曲线,计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率.实验结果表明,这种对接生长方案,可以获得光滑的对接界面,显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率(从常规的17%提高到78% )及EML器件的外量子效率(从0 0 3mW /mA提高到0 15mW /mA) .