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研究了粉末注射成型技术生产Invar合金电子封装零件的工艺。设计一种新型蜡基多聚合物组元粘结剂,其组成:PW,PEG,LDPE,PP,SA的质量分数分别为50%,20%,15%,10%,5%。并依其差热分析结果制定了合理的脱脂工艺。在1350℃氢气烧结时,可制备出性能优良的PIM Invar合金电子封装零件,其致密度、抗拉强度、30~300℃温度内的平均热膨胀系数α30~300℃分别为98.5%、420MPa、4.5×10–6℃–1,其漏气率小于1.4×10–9Pa·m3·s–1。 相似文献
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以硅溶胶(SiO2·nH2O)、葡萄糖(C6H12O6·H2O)、硝酸铝(Al(NO3)3)和尿素(CO(NH2)2)为原料,采用低温燃烧合成方法,制备出粒度细小、混合均匀的(Al2O3+SiO2+C)前驱物,然后将前驱物采用两步碳热还原反应制备AlN-SiC复合粉末.研究结果表明:(Al2O3+SiO2+C)前驱物具有较高的反应活性,还原反应速率快,前驱物首先在1600℃通氩气保温3h然后再于1600℃通氮气保温3h可实现完全转化,制备的AlN-SiC复合粉末主要由尺寸为80~100 nm的球形颗粒组成. 相似文献
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研究了在真空条件下AlN陶瓷真空活性封接的情况,使用的活性焊料是Ag70-Cu28-Ti2熔炼焊片.通过试验可以得到该活性焊料在AlN片上润湿性良好,获得的AlN/AlN接头达到了气密性要求(漏气速率小于1×10-10
Pa·m3/s),平均强度值分别为1.49 kN/cm2(抗弯)和2.00 kN/cm2(抗剪切).通过扫描电镜及电子探针仪观察了焊层形貌和元素分布,分析了连接强度较高的原因.通过XRD确定了焊接的冶金结合及新相的生成. 相似文献
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研究了在真空条件下AlN/Cu活性钎焊的情况,使用的活性焊料是Ag_(70)-Cu_(28)-Ti_2焊片。通过试验可以得到该活性焊料在AlN片上润湿性良好,获得的AlN/Cu接头均达到了气密性要求(漏气速率<1×10~(-10)Pa·m~3/s),平均强度值分别为182 Kg/cm~2(抗弯)和182 Kg/cm~2(抗剪切)。通过扫描电镜及电子探针仪观察了焊层形貌和元素分布,分析了连接强度较高的原因。通过XRD确定了焊接的冶金结合及新相的生成。 相似文献
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