多孔硅发光二极管的载流子传输特性研究

制备AI／多孔硅／c-Si／Al结构的多孔硅发光二极管，利用其I-V特性关系，以及在不同温度下其I-V特性的变化，结合多孔硅的特殊微结构及性质，分析了多孔硅发光二极管中载流子的产生和传输过程；通过比较其发光猝灭前后I-V特性的变化，解释了发光猝灭的原因。提出了如果在低电场下能够实现大量载流子在限制性Si微粒中复合．是提高多孔硅电致发光效率的一个途径。     

基于MAX120的峰值电压检测及其与CPLD的接口

介绍了一种性能良好的A／D转换器MAX120，详细阐述了基于MAX120的数字式峰值电压检测器，并示出了其逻辑功能的Verjlog—HDL描述和与CPLD的接口电路，最后给出了在窄脉冲测试源作用下的实测结果。     

一种卟啉结构硫离子荧光探针的合成及荧光性能

以卟啉为荧光发色团,4-氯-7-硝基苯并-2-氧杂-1,3-二唑为识别基团,设计合成了一种具有较高选择性、高灵敏度的近红外硫离子荧光探针,其结构经~1H NMR,IR和HR-MS(ESI)表征。该合成路线简短,后处理简单。以荧光光谱为检测手段,测试了该探针分子对硫离子的识别效果。结果表明,此探针不仅具有高选择性和灵敏度,且在1. 0×10~(-6)～7. 0×10~(-6)mol·L~(-1)的浓度范围内呈现良好的线性关系,其检出限为78 nm。     

新型丁烯内酯衍生物的设计合成及诱导胃癌细胞凋亡研究

开发了一条合成天然产物Uncinine的新方法,基于此设计合成了一系列新型的丁烯内酯衍生物.通过噻唑蓝(MTT)法评价了目标化合物对胃癌细胞的增殖抑制活性,分析了其构效关系.其中,3-吗啉甲基-4-(4-叔丁基苯基)亚基丁烯内酯(9l)对MGC803的IC50为2.9μmol/L,对胃癌细胞MGC803、HGC27以及SGC7901具有明显的选择性增殖抑制作用,而对正常的胃粘膜上皮细胞GES1具有较小的毒性.初步的作用机制研究表明,化合物9l诱导胃癌细胞MGC803凋亡依赖Caspase 9/3激活.     

852.3 nm激光线共振激发Cs蒸气的荧光光谱

研究了Cs蒸气被单模半导体激光器的852.3 nm线激发产生的荧光光谱。由Cs,Cs₂的荧光及其强度确定了在受激Cs-Cs₂系统中的若干碰撞和辐射过程。高位态原子线是由Cs(6P_3/2)+ Cs(6P_3/2)到Cs(6D,8S)的碰撞能量合并形成的,Cs₂(B 1∏_u)带则由Cs(6P)+Cs₂(X 1Σ+_g)碰撞转移产生。通过激发转移、能量碰撞合并和Cs₂-Cs碰撞传能研究了6 2P原子的精细结构混合,得到了6P_3/2→6P_1/2碰撞转移速率系数是(5.2±2.1)×10-11 cm3·s-1,给出了过程Cs₂(B 1∏_u)+Cs(6S)→Cs₂(X 1Σ+_g)+Cs(6P_1/2)的速率系数是(1.0±0.4)×10-9 cm3·s-1。     

静电纺丝法制备CuNi纳米粒子/碳纳米纤维电分析检测H2O2

通过静电纺丝技术制备了铜镍纳米粒子掺杂的碳纳米纤维(CuNi-CNFs),并用于过氧化氢(H_2O_2)的电分析检测。CuNi-CNFs纳米复合材料的组分、结构通过X射线衍射、拉曼光谱等方法进行了表征。该纳米复合材料中,CNFs具有较大的比表面积和良好的导电性,而CuNi纳米粒子具有良好的电催化活性。由于Cu,Ni和CNFs的协同作用,CuNi-CNFs纳米复合材料对H_2O_2表现出良好的电催化作用,传感器的线性范围为0. 01～6 mmol/L。     

氢氧化铯催化O,O-二烷基-Se-芳基磷酸酯的合成

在催化量氢氧化铯存在下,O,O-二烷基膦酸酯与二芳基二硒醚在DMSO中、室温、空气氛中反应,高收率得到磷酸硒酯.反应机理为氢氧化铯与O,O-二烷基膦酸酯反应生成的(RO)2P-(O)Cs+,(RO)2P-(O)Cs+亲核进攻ArSeSeAr生成磷酸硒酯和ArSe-Cs+,后者在水存在下,被氧化得到ArSeSeAr和氢氧化铯.这方法为合成磷酸硒酯提供了一条简便有效的路径.     

模块化高温超导磁储能系统辅助微网模式切换的应用研究

超导磁储能系统(SMES)由于具有快速响应能力和较高的储能密度,能够有效地平衡微电网中分布式电源与负荷之间的不平衡功率。近年来随着微电网规模的扩大,单台SMES由于容量限制,难以满足储能需求。本文引入模块化超导磁储能系统,并在Matlab/Simulink平台搭建微网模型,进行仿真实验,仿真结果显示模块化SMES能够增大微电网在并网/孤岛运行模式切换过程中的惯性,提高微电网的功率调节能力,保证微电网的安全稳定运行。     

用于高热流密度器件冷却的热管散热器实验研究

针对大型计算机服务器CPU的耗能量,探讨了一种新的热管排布方式的散热器,并对其散热性能进行了实验研究.研究结果表明,采用此种热管散热器,最高热流密度为74.3W/cm2,其冷却风速控制在4m/s即可满足芯片冷却要求.同时根据模拟计算得到的散热器底板温度分布,可有助于对热管排布方式的优化设计.