用试片法测量管道的极化电位

本文通过分析管道极化电位的测量原理，论述了用试片法进行管道断电点位的测量方法，详细介绍了如何确定自然电位以及测量中需要注意的问题。     

MOCVD法制备Cu掺杂ZnO薄膜

通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备,在c-Al2 03衬底上生长本征和Cu掺杂ZnO( ZnO∶ Cu)薄膜.X射线衍射(XRD)谱观察到未掺杂的ZnO和ZnO∶ Cu样品都呈现出较好的c轴择优取向生长.X射线光电子能谱(XPS)表明Cu已掺入到ZnO薄膜中.利用光致发光(PL)测试对本征ZnO和ZnO∶ C...     

新课程下中学数学学习训练的设计

上海市教育委员会《改进中学课堂教学的几点意见》(2005,3)中指出:数学学习训练是数学教学的一个有机组成部分,是教学过程的重要环节,是学生学习数学的重要途径.教师要从训练的目的、要求、内容、形式等方面,不断地改善数学学习训练.数学学习训练是数学教学的一个重要组成部分,     

新一代运营系统和软件及其设计原则

章指出了已有OSS／BSS系统和标准存在的不足，阐述了发展新一代运营系统和软件(NGOSS)的必要性，分析了新一代运营系统和软件的新特点，指出了实现新一代运营系统和软件应遵循的设计原则。     

新一代运营系统和软件及其设计原则

文章指出了已有OSS/BSS系统和标准存在的不足,阐述了发展新一代运营系统和软件(NGOSS)的必要性,分析了新一代运营系统和软件的新特点,指出了实现新一代运营系统和软件应遵循的设计原则。     

面向LTE承载的传输网络技术与应用研究

通信运营商传统的以固网业务为主的传送网架构已难以满足不断发展的业务需求,正在展开的LTE网络部署,又从业务带宽、业务流向、业务属性等方面带了新的挑战,如何改进全业务运营的传送网架构、并有效应对LTE承载需求,是当前运营商面临的重要课题.本文针对LTE及全业务网络环境下的传送网技术及其应用进行了全面的研究.本文首先对传送网主要技术进行了全面分析和对比,着重阐述了LTE及全业务承载对传送网的需求;结合本地传送网现状和需求分析,给出了建设思路和策略.     

YBCO/ND-Y2O3/YBCO超导薄膜的制备及其特性研究

采用光辅助金属有机物化学气相沉积技术,在LaAlO3(100)单晶衬底上外延制备约500 nm厚YBCO/ND-Y2O3/YBCO薄膜.用X射线衍射技术分析薄膜的物相结构和外延特性,通过扫描电子显微镜观察薄膜的表面与截面形貌.主要研究了不同生长时间的Y2 O3纳米点对YBCO超导薄膜性能的影响.Y2 O3纳米点生长时间为2Os样品的临界电流密度达到2.4 MA/cm2(77 K,0T),与未生长Y2O3纳米点的YBCO薄膜相比,其临界电流密度提高20;.分析表明,薄膜中的Y2O3在YBCO薄膜内部起到了有效钉扎中心作用,提高了临界电流密度.     

GaSb/InSb/InP异质结构的漏电流机制

为提高InSb红外探测器室温下的工作性能,设计了GaSb/InSb/InP异质结构,并对结构中俄歇复合与肖克莱-瑞德复合两种复合机制对漏电流的影响进行研究。利用TCAD仿真工具对InSb探测器件进行建模,分析得到能带结构与载流子分布。以能带参数为基础,根据连续性方程,结合漂移扩散模型,分析了俄歇复合在反偏压下的衰减效应,并综合肖克莱-瑞德复合的影响,计算出不同缺陷浓度下器件的漏电流。利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术制备GaSb/InSb/InP异质外延样品,对其漏电流进行测试,并与仿真结果进行对比分析。实验结果表明,计算结果与实验结果一致,器件工作性能的主要限制为肖克莱-瑞德复合机制,器件的漏电流为0.26 A·cm~(-2),品质因子R_0A为0.1Ω·cm~2。相比于同质InSb结构,器件的R_0A提高了一个数量级,已接近实用化水平。     

三类与Riemann Zeta函数有关的级数的求和公式

本文采用组合数学的方法,利用第二类Ｓｔｉｒｌｉｎｇ数和Ｂｅｒｎｏｕｌｌｉ数给出级数∑∞ｋ＝２ｋ＾ｍξ（２ｋ）及∑∞ｋ＝１（２ｋ＋１）＾ｍξ（２ｋ＋１）其中ｍ≥１,ξ（ｘ）＝ξ（ｘ）－１）的求和公式。这些公式表述简洁并有鲜明的规律性。     

适用于计算机控制的一种新型铂电阻温度变送器电路

改造铂电阻温度变送器使之适用于计算机的采集与控制,进一步提高控温和显示精度,这是目前我国测温控温领域中的迫切任务。本文不仅给出了该变送器的电路,而且给出了具体的测量数据。