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GaAs表面钝化的新方法:S_2Cl_2处理 总被引:1,自引:1,他引:0
本文用光致发光谱(PL)结合俄欧电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS),首次研究了S2Cl2钝化的GaAs(100)表面.结果表明,PL强度较钝化前样品提高了将近两个数量级.钝化后的表面AES谱显示含有S,Ga,AS,C和少量Cl原子而不含O原子.XPS谱说明S原子和Ga、As原子都成键.与(NH4)2S处理的比较结果显示,几秒钟的.S2Cl2处理即可达到或超过几十分钟(NH4)2S处理的钝化效果. 相似文献
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本文用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱对用硫化铵溶液处理的InSb表面进行研究。结果表明,硫处理以后在样品表面生成。一层厚度约8?的硫化物钝化层,它对防止表面的氧化和碳沾污有明显的钝化作用。钝化层中,破原子既与锑原子成键,引起Sb3d芯能级发生1.9eV的化学位移;又与铟原子成键,引起In4d芯能级发生0.6—0.7eV的化学位移。350℃的真空退火使锑的硫化物发生分解。500℃退火没能使铟的硫化物完全分解,仍有一部分硫原子以铟的硫化物形式留在样品表面。
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利用低能电子衍射(LEED)、X射线光电子能谱(XPS)、电子能量损失谱(EELS)、紫外光电子能谱(UPS),对室温下Mn在GaAs(100)4×1表面的淀积过程进行了研究。研究结果表明,当锰的覆盖度θ≥0.25nm时,LEED图案完全消失,表明Mn没有生长成单晶。LEED,EELS的结果都表明淀积初期是层状生长的。对XPS的Ga2p3/2,As2p3/2的峰形、强度进行分析,可以知道在很小的覆盖度下,Mn就与衬底反应。置换出的Ga被局限在离原来的界面约3nm
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