HEMT—HBT单片集成技术

简要介绍了ＨＥＭＴ－ＨＢＴ单片集成技术，并对目前用选择ＭＢＥ和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ综合工艺制作的ＨＥＭＴ、ＨＢＴ器件和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ，放大器性能进行了评述。     

司帕沙星软膏的制备与质量控制

为研制司帕沙星软膏，建立其含量测定方法。用差示紫外分光光度法在306nm外测定司帕沙星的含量。平均回收率为99．98％，RSD为0．72％，线性范围15．62－40．14μg/ml。该法简便、准确、快捷。     

铌酸镓镧压电晶体生长及性能研究

该文报道了La3Ga5.5Nb0.5O14压电晶体的生长及其压电性能。采用提拉法成功生长了55 mm×150mm的晶体,晶体透明、无包裹体。采用LCR电桥、谐振-反谐振法测量了晶体的相对介电常数和压电应变常数,并研究了头尾之间性能差异性。测试结果表明头尾之间的差异性在3%以内,表明晶体存在良好的性能均匀性。     

节理煤体低温损伤机理及影响范围研究

节理普遍存在于地下煤储层中,是煤层气存储和运移的主要通道。为了研究冻融作用下煤体自身含水饱和度的不同,对节理结构损伤和液氮作为煤体的制冷剂逆传热至-45℃作用范围的影响,利用低温保存箱为不同含水饱和度煤样提供-45℃低温环境,对煤样进行循环冻融交叉实验;并建立以液氮作为制冷剂的传热模型,进行单周期低温加载数值模拟。结果表明：(1)煤样表面以及内部节理扩展量随着低温循环冻融周期的增加而逐渐增大,单轴抗压强度逐渐降低;煤样表面维度逐渐从二维向三维转化、表面及内部节理结构损伤程度加剧;(2)煤样节理结构损伤程度随含水饱和度的增加而增大,100%饱和度时,煤样循环冻融41周期后破碎;(3)单周期传热模型随着含水饱和度的升高,影响范围变小,且传热时间变长,100%含水饱和度下煤体传热至-45℃的传热半径仅为2.77m,所用时间为2531.2s,表明含水饱和度制约着传热半径及传热时间,含水饱和度越高,制约越明显。     

高速基带匹配滤波器的FPGA实现及验证

根据SDH数字微波通信系统高阶QAM解调器的设计要求,针对数字化基带滤波的信号处理特点,提出一套高速匹配滤波器的FPGA实现方案。首先基于窗函数设计法,完成了滤波器的软件设计和仿真;然后基于QuartusⅡ6.0开发平台,采用并行流水结构和Verilog HDL语言参数化设计法实现滤波器FPGA设计;最后结合QuartusⅡ和Matlab,从时域和频域验证滤波器性能。实践表明此方法设计的滤波器效率高、方便调试,具有较好的重用性和可移植性。     

葡萄、葡萄汁与葡萄酒

早年刚刚对葡萄酒感兴趣的时候,热衷结交爱葡萄酒的朋友,很是认识了一些神奇的人.当时,北京一个热爱葡萄酒的朋友,很有行动力,自己钻研了几年葡萄酒,没有走大多数人品尝的路,而是走了一条小路--自酿葡萄酒.     

MAC协议冲突概率自适应退避算法的研究与实现

针对退避策略在无线传感器网络介质访问控制(MAC)协议中的作用与要求,分析了典型的无线传感器网络MAC((S-MAC)协议的退避机制,提出网络冲突概率自适应退避算法.并用NS2对其进行了性能仿真测试,仿真结果表明,在网络节点分布较为密集、突发数据流量变化较大的网络环境中,改进后的方案在能量效率和吞吐量方面都有较大的改善.     

微波／毫米波器件及其电路的发展现状

重点阐述了微波／毫米波器件及其电路的发展现状，并对我国在这方面的发展目标提出初步设想。     

一种用于液晶显示源驱动的放大器设计

设计出一种用于TET液晶显示的源驱动放大器.放大器的输入级采用互补差分对形式,输出级则采用甲乙类CMOS结构,实现了输入输出的Rail-to-Rail.增加了平衡电路,抑制了非线性.通过设置合适的电压偏置和小的偏置电流在5V工作电压下实现了低功耗.在-40～85℃范围内,基于和舰0.25μm高压CMOS工艺,采用HSPICE仿真验证,在30pF负载电容条件下,放大器的静态功耗仅有19μW,输出电压范围为0V～5V,开环电压增益达到132dB,总谐波失真仅为0.009%.能很好满足液晶显示源驱动电路的要求,并成功应用于LCD驱动芯片中.