首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2篇
  免费   0篇
  国内免费   4篇
物理学   1篇
无线电   5篇
  2013年   1篇
  2009年   2篇
  2008年   2篇
  2000年   1篇
排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 250 毫秒
1
1.
邵林飞  李合琴  范文宾  宋泽润 《红外》2009,30(11):30-34
VO2是一种热致相变材料.发生相变时,VO2的电阻、红外光透过率、反射率都会发生显著变化.采用直流反应磁控溅射法,通过改变氧氩比(O2:Ar)、工作气压、衬底温度等制备工艺参数,研究了工艺参数对VOx薄膜的结构、电阻-温度性能的影响.结果表明,当氧氩比为1.0:15、工作气压为2.0Pa时,制备的薄膜中VO2的含量较多;衬底温度为250℃时,制备的VOx薄膜的电阻一温度突变性能最佳.  相似文献   
2.
架空输电线防振锤安装位置的工程计算   总被引:7,自引:0,他引:7  
何晓雄  李合琴 《计算物理》2000,17(5):588-592
防振锤被广泛用于架空输电线以耗散微风振动的能量,减轻微风振动的强度,保护架空输电线免受疲劳损害。根据架空输电线微风振动的特点,建立数值计算模型,通过计算振幅比,确定防振锤安装位置,供架空输电线微风振动防振设计和施工时参考。  相似文献   
3.
采用射频磁控溅射技术,通过改变O2:N2比在玻璃衬底上制备不同浓度N掺杂的ZnO薄膜,研究了掺杂薄膜的光致发光(PL)特性.观察到370~380 nm、390~405 nm附近的2个荧光峰.结果表明,随着薄膜中N掺杂量的不同,荧光峰峰位发生了相应的变化,强度也发生了明显的变化.当Ar:O2:N2为15:7:8时,薄膜中N含量最多,分别在374 nm、391 nm处出现了发光峰且发光强度最佳,此时薄膜已明显表现出p型ZnO薄膜的特征.  相似文献   
4.
周矗  李合琴  刘心同 《红外》2013,34(11):13-17
二氧化钒(VO2)薄膜由于具有优异的热致变色性能已成为激光防护材料领域的研究热点.本文综述了国内外VO2薄膜的研究进展,对VO2薄膜的主要制备方法、用于红外激光防护的原理及防护波段进行了探讨,并总结了用VO2薄膜实现激光防护所面临的问题.  相似文献   
5.
溅射总气压一定,通过改变氧氩气体的比例,用射频磁控反应溅射法在玻璃衬底上制备VOχ薄膜。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、QJ31单臂电桥等测试了不同氧氩比例对VOχ薄膜的晶体结构、表面形貌、成分和电阻的影响。测试分析结果表明,氧氩比是影响VOχ薄膜结构及性能的重要因素。在我们的实验条件下,最佳氧氩比为2:25,电阻温度系数为-2.87%/℃。  相似文献   
6.
溅射总气压一定,通过改变氧氩气体的比例,用射频磁控反应溅射法在玻璃衬底上制备VOx薄膜.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、QJ31单臂电桥等测试了不同氧氩比例对VOx薄膜的晶体结构、表面形貌、成分和电阻的影响.测试分析结果表明,氧氩比是影响VOx薄膜结构及性能的重要因素.在我们的实验条件下,最佳氧氩比为2∶25,电阻温度系数为-2.87%/℃.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号