三维CMOS集成电路技术研究

论述了三维集成电路(3DIC)的发展概况,介绍了近几年国外发展的各种三维集成电路技术,主要包括再结晶技术、埋层结构技术、选择性外延过生长技术和键合技术.并基于SiGe材料特性,提出了一种新型的Si-SiGe三维CMOS结构,即将第一层器件(Si nMOS)做在SOI(Si on insulator)材料上,接着利用SiO2/SiO2低温直接键合的方法形成第二层器件的有源层,然后做第二层器件(SiGe pMOS),最终形成完整的三维CMOS结构.与目前所报道的Si基三维集成电路相比,该电路特性明显提高.     

宽禁带半导体金刚石

较详细地叙述了当前国内外正处在研究热潮中的金刚石半导体的优越性质、发展状况及其应用和潜在的应用前景.同时分析和比较了金刚石薄膜的各种制备方法,可以看出微波等离子体化学汽相沉积法是较好的制备金刚石薄膜的生长技术,并且分析了该技术的特点和优势.该法在保持适当氩气氛和施加衬底负偏压下还可进一步提高金刚石膜的生长速率和质量.对于金刚石异质(在硅衬底上)成核的基本机理也进行了分析.最后,阐述了研究金刚石半导体薄膜目前需要解决的关键问题及其发展方向.