ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al₂O₃衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al₂O₃固相反应制备了具有ZnAl₂O₄覆盖层的α-Al₂O₃衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl₂O₄薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl₂O₄表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl₂O₄在高温下不稳定. 在ZnAl₂O₄覆盖的α-Al₂O₃衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl₂O₄厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl₂O₄覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.     

Synthesis of ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates and growth of GaN films

With the solid phase reaction between pulsed-laser-deposited (PLD) ZnOfilm and α-Al2O3 substrate, ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates were synthesized. X-ray diffraction (XRD) spectra show that as the reaction proceeds, ZnAl2O4 changes from the initial (111)-oriented single crystal to poly-crystal, and then to inadequate (111) orientation. Corresponding scanning electron microscope (SEM)images indicate that the surface morphology of ZnAl2O4 transforms from uniform islands to stick structures, and then to bulgy-line structures. In addition, XRDspectra present that ZnAl2O4 prepared at low temperature is unstable at the environment of higher temperature. On the as-obtained ZnAl2O4/α-Al2O3 substrates, GaN films were grown without any nitride buffer using light-radiation heating low-pressure MOCVD (LRH-LP-MOCVD). XRD spectra indicate that GaN film on this kind of complex substrate changes from c-axis single crystal to poly-crystal as ZnAl2O4 layer is thickened. For the single crystal GaN, its full width at half maximum (FWHM) of X-ray rocking curve is 0.4°. Results indicate that islands on thin ZnAl2O4 layer can promote nucleation at initial stage of GaN growth, which leadsto the (0001)-oriented GaN film.     

杂元素冠醚研究（Ⅺ）：邻苯二硒型硒杂冠醚的合成

在碱性条件下，聚邻二硒代苯被硼氢化钾还原成双硒离子后与二卤代和缩后关环得到７个邻苯二硒型硒杂冠醚化合物，其结构经元素分析、ＭＳ、ＩＲ和ＨＮＭＲ证实。     

ACS800变频器控制回路故障处理及原因分析

随着企业对提高产品质量、降低设备故障的要求不断提高,ABB变频器ACS800作为生产过程中的主要设备,其平稳运行对生产尤为重要。本文结合两起切粒机停机故障进行深入分析,旨在提供多种解题思路,确保此类设备的安稳运行。     

无线射频收发模块在远程测温系统中的应用

将无线收发模块与单片机系统相结合，实现远程测温系统。他采用集成温度传感器检测温度信号，通过射频发射模块及接收模块实现温度数据的传输，利用软件系统对传输的数据进行监控，提高系统的可靠性。     

硒代吗啉的曼尼希反应

用硒代吗啉与不同的酸组分、醛组分反应得到七个曼尼希反应的产物。     

ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长

研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O3 衬底 ,并在此复合衬底上利用光加热低压 MOCVD法直接生长了纤锌矿结构 Ga N. X射线衍射谱表明反应得到的Zn Al2 O4层为 ( 111)取向 .扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于 3 0 min增加到 2 0 h,Zn Al2 O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构 ,相应的 Ga N X射线衍射谱表明 Ga N由 c轴单晶变为多晶 ,单晶 Ga N的摇摆曲线半高宽     

杂元素冠醚的研究（Ⅵ）──7，11－二硒杂苯并－13－冠－4铂配合物的合成及其催化硅氢化性能

合成了７，１１－二硒杂苯并－１３－冠－４及其铂配合物，并从底物的性质、反应温度、催化剂用量以及化学气氛四个方面考察了该配合物对烯烃与三乙氧基硅烷的硅氢加成反应的催化特性。与单硒杂冠醚配合物相比，该配合物对某些烯烃的催化活性较高，但催化反应需要的温度也较高．     

杂元素冠醚研究（Ⅻ）——氧,硫,硒和碲杂冠醚的液膜迁移性能…

报道了碲杂冠醚（ＴｅＢ１５Ｃ５）对Ｎａ＾＋、Ｋ＾＋、Ａｇ＾＋和Ｐｂ＾２＋的液膜迁移能力，并与相应的全氧冠醚（Ｂ１５Ｃ５）、硫杂冠醚（ＳＢ１５Ｃ５）和硒杂冠醚（ＳｅＢ１５Ｃ５）作了比较；同时以ＳｅＢ１５Ｃ５对Ｋ＾＋的迁移为例考察了冠醚浓度和盐浓度对迁移速率的影响。