对改革路径的再思考

模仿对于一个处于初期的后发国家来说的确能管用，但如果要靠一国经济自身持续产生增长的内在推动力，仅仅模仿是不够的。     

ZrO2在合成甲醇催化剂CuO-ZnO-ZrO2中的作用

采用并流共沉淀法制备了一系列ZrO2的原子比不同的CuO-ZnO-ZrO2甲醇合成催化剂.在固定床反应器中进行合成气制甲醇的研究,考察了ZrO2在催化剂中的作用.结果表明,ZrO2的加入能显著提高催化剂的性能,当ZrO2的原子比达到0.10时,催化剂的活性最高并且耐热性能最强;过量的ZrO2会降低催化剂的活性.利用TPR、XRD、BET技术对催化剂进行了表征,发现适量ZrO2的加入不仅有助于提高Cu活性组分在催化剂表面的分散,提高催化剂的比表面积,使催化剂不容易高温烧结,而且有利于促进催化剂还原.     

钙的加入对含锆熔铁型氨合成催化剂性能的影响

近年来，对于熔铁型氨合成催化剂在不断通过加入新的助剂来改善其性能。本文用Mossbauer谱等手段分析与研究加入钙后对含锆催化剂的影响。     

壳聚糖负载贵金属催化剂的研究进展

壳聚糖负载的贵金属催化剂显示了高催化活性和高选择性,已被用于氧化反应、氢化反应、烯丙基取代反应、羰基化反应、Suzuki和Heck偶联反应、烯烃的不对称二羟基化反应及有机醛、酮的合成反应体系中。本文对其制备方法、可能结构及其在各种反应体系中的催化性能进行了综述。     

壳聚糖亚胺环钯化合物的合成与表征

用水杨醛接枝改性后的壳聚糖亚胺与Li₂PdCl₄甲醇溶液反应得到壳聚糖环钯化合物。壳聚糖、壳聚糖席夫碱及其钯化合物用红外光谱(IR)、X射线衍射光谱(XRD)、热分析(DTA-TG)、荧光光谱以及X射线光电子能谱(XPS)等分析手段进行了表征分析。根据表征结果提出了席夫碱及壳聚糖亚胺环钯化合物的结构。     

JTIDS相对导航与惯导对航迹质量影响的对比分析

针对空中机群编队的定位导航问题，本文研究了相对导航和惯性导航两种导航模式对联合战术信息分发系统网内平台位置质量的影响，并从本质上比较了二者产生的定位误差，在此基础上进一步对上述两种导航模式对 C2 平台的航迹质量影响进行了定量分析。     

宁夏DMB广播设想

随着广播电视数字化进程的不断加陡，有线电视的数字化已经在许多地方开展起来，同时移动数字电视已经在全国很多省市开始试运行并取得了良好的社会效盏和经济效盏。作者结合掌握的关于广播电视数字化知识，提出了宁夏地区实施移动数字电视及数字多媒体广播的具体规划。     

还原温度对氧化铁吸附性能的影响

利用脉冲气相色谱保留体积法测定了不同还原温度的氧化铁样品对水的吸附特性并和Ｘ光衍射结果进行了关联,同时测定了含铬氧化铁对水的吸附特性。结果表明,中温还原样品有比较均匀的表面,低温和高温还原样品的表面均有一定程度的不均匀性且符合焦姆金吸附方程。铬的加入降低了氧化铁对水的吸附热,并增加吸附中心的数量     

Graphene films grown on sapphire substrates via solid source molecular beam epitaxy

A method for growing graphene on a sapphire substrate by depositing an SiC buffer layer and then annealing at high temperature in solid source molecular beam epitaxy (SSMBE) equipment was presented. The structural and electronic properties of the samples were characterized by reflection high energy diffraction (RHEED), X-ray diffraction Φ scans, Raman spectroscopy, and near edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS) spectroscopy. The results of the RHEED and Φ scan, as well as the Raman spectra, showed that an epitaxial hexagonal α-SiC layer was grown on the sapphire substrate. The results of the Raman and NEXAFS spectra revealed that the graphene films with the AB Bernal stacking structure were formed on the sapphire substrate after annealing. The layer number of the graphene was between four and five, and the thickness of the unreacted SiC layer was about 1--1.5 nm.     

含锆、钙熔铁型氨合成催化剂的M?ssbauer谱

含锆催化剂;含钙催化剂;熔铁催化剂;含锆、钙熔铁型氨合成催化剂的M?ssbauer谱