一种高精度6位数控移相器研制

采用0.18μm GaAs衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺研制了一款2～6.5 GHz高精度6位数控移相器.为了达到较小的插入损耗和较小的版图面积,采用桥T型高/低通滤波器拓扑结构对5.625°移相器单元进行设计.采用开关切换全通滤波拓扑结构对11.25°、22.5°、45°、90°、1...     

0.3～3.0GHz超宽带高精度数控移相器的设计

基于0.15μm GaAs赝高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺,研制了一款应用于相控阵系统的集成数字驱动器的0.3～3.0 GHz高精度6 bit数控移相器芯片,通过级联6个不同移相单元可实现最小步进为5.625°的0°～360°移相范围。5.625°、11.25°、22.5°移相单元采用开关切换单阶磁耦合全通网络结构,45°移相单元采用开关切换电容补偿单阶磁耦合全通网络结构,90°、180°采用开关切换高通补偿两阶磁耦合全通网络结构。在片测试结果表明：在0.3～3.0 GHz频段内,数控移相器芯片64态移相均方根误差小于3°,插入损耗小于18 dB,全态移相附加调幅小于±1 dB,输入输出驻波小于1.9,静态功耗为3 mA@-5 V。芯片版图面积为5.00 mm×3.45 mm。     

一款DC～40 GHz六位数控衰减器芯片设计

针对微波通信等领域的整机系统对超宽带数控衰减器的需求,采用GaAs pHEMT 0.15μm工艺研制了一款DC～40 GHz带数字驱动的6位数控衰减器芯片。衰减器电路采用6个基本衰减单元级联结构,每个衰减单元采用合适的电路拓扑,通过合理优化后,实现了低插入损耗、高衰减精度、低衰减附加相移和小尺寸的目标。由芯片在片测试结果可知,插入损耗小于6.5 dB,输入输出电压驻波比小于1.8:1,均方根衰减精度（64态）小于0.8 dB,全态衰减附加相移小于±10°,静态功耗为3 mA@-5 V,芯片尺寸为2.08 mm×1.1 mm×0.1 mm。     

17～21 GHz 6 bit高精度数字移相器的设计

采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺,研制了一款17～21 GHz 6 bit高精度数字移相器。该移相器5.625°移相单元采用嵌入式LC拓扑结构,11.25°和22.5°移相单元采用嵌入式全通网络拓扑结构,45°、90°和180°移相单元采用开关选择型多阶高、低通网络拓扑结构;驱动单元采用直接耦合场效应晶体管逻辑（DCFL）结构。测试结果表明,在17～21 GHz工作频率内,该移相器插入损耗的绝对值小于8.5 d B,均方根相位误差（RMS）值小于1.8°,移相寄生调幅在-0.8 d B和0.6 d B之间,电压驻波比（VSWR）小于1.5。