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无线电
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1
1.
22 nm FDSOI器件的制备与背偏效应研究
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李亦琨
孙亚宾
李小进
石艳玲
王玉恒
王昌锋
廖端泉
田明
《微电子学》
2019,49(3):431-435
提出了一种基于后栅极工艺的22 nm 全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)器件的制备方法。基于电学测试结果,分析了器件的基本性能,研究了背栅偏压对器件性能的影响。结果表明,器件的开关电流比比较高、亚阈值摆幅较小,符合产业的一般标准。背栅偏压对长沟道和短沟道器件的阈值电压均有明显的影响。电路设计人员可以根据不同需求,选择工作在正向体偏置(FBB)模式或者反向体偏置(RBB)模式的器件。
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