石英音叉陀螺的温度特性及其补偿方法

石英音叉陀螺的零偏随温度的改变而变化,根据石英音叉陀螺的工作原理和3种零偏温度特性,建立了相应的数学模型。根据不同的数学模型设计相应的补偿电路,并通过具体的实验数据分析补偿的效果和各种补偿方式的适应性。     

Low-temperature characteristics of two-color InAs/InP quantum dots laser

We report on the lasing characteristics of a two-color InAs/InP quantum dots(QDs)laser at a low tem-perature.Two lasing peaks with a tunable gap are simultaneously observed.At a low temperature of 80 K,a tunable range greater than a 20-nm wavelength is demonstrated by varying the injection current from 30 to 500 mA.Under a special condition,we even observe three lasing peaks,which are in contrast to those observed at room temperature.The temperature coefficient of the lasing wavelength was obtained for the two colors in the 80?280 K temperature range,which is lower than that of the reference quantum well(QW)laser working in the same wavelength region.     

带阻尼项的三阶脉冲微分方程的振动性与渐近性

解决了一类带阻尼项的三阶脉冲微分方程的非振动解与其一阶、二阶导数的符号关系,用迭代法得到其振动性与渐近性的判别准则,并举例说明准则的有效性.     

准零维量子点激光器的发展瓶颈

近年来半导体材料主要朝两个方向发展:一方面是材料工程,即通过不断探索扩展新的半导体材料实现;另一方面是能带工程,即通过改变已知材料的维度进而实现能带的调节。准零维半导体量子点就是通过改变其尺寸调控能带的典型代表。主要论述了准零维量子点激光器发展过程中遇到的一些瓶颈问题。     

一种高性能的光纤声光调制器级联模块

通过采用外部时钟、双路延时可调等技术,得到了一款工作波长1 550 nm、移频频率80 MHz、插入损耗5.4 dB、消光比＞100 dB、脉冲抖动1.8 ns的高性能光纤声光调制器级联模块。采用该级联模块搭建了M-Z干涉光路,得到了稳定的干涉波形。结果表明,该级联模块可提升光脉冲消光比,同时能有效地提升干涉波形的稳定性,对微弱信号探测的外差激光相干探测系统性能提升有一定的促进作用。     

GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究

研究了纳米掩膜在材料外延生长及器件制备中的应用.通过电化学腐蚀和电子束蒸发方法在GaN表面生成Ni和SiO<,2>纳米点阵列,经过等离子体刻蚀在Ni/GaN模板上形成GaN纳米锥形结构;利用氢化物气相外延(HVPE)方法,在SiO<,2>/GaN模板上制备厚膜GaN材料.X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)谱测试表明...     

High-performance InAs/GaAs quantum dot laser with dot layers grown at 425℃

We investigate InAs/GaAs quantum dot(QD) lasers grown by gas source molecular beam epitaxy with different growth temperatures for InAs dot layers.The same laser structures are grown,but the growth temperatures of InAs dot layers are set as 425 and 500 ℃,respectively.Ridge waveguide laser diodes are fabricated,and the characteristics of the QD lasers are systematically studied.The laser diodes with QDs grown at 425℃ show better performance,such as threshold current density,output power,internal quantum efficiency,and characteristic temperature,than those with QDs grown at 500 C.This finding is ascribed to the higher QD density and more uniform size distribution of QDs achieved at 425℃.     

石英MEMS陀螺检测模块的测试方法研究

提出了一种石英微机械(MEMS)陀螺检测模块的测试方法和测试系统方案.该方法仅将检测模块的输入/输出端口接入测试系统,无需其他位置的信号注入和引出,即可实现增益、相位、频带、阻尼等电路特性的测试和标定,适用于生产过程对检测模块的快速测试及研制过程对检测模块的性能分析.     

溶胶-凝胶法制备MgO/(Ba0.8Sr0.2)TiO3多层薄膜及其介电和漏电特性研究

采用改进的溶胶-凝胶方法在LaNiO3/Si(100)衬底上制备了MgO/(Ba0.8Sr0.2)TiO3多层薄膜.实验结果表明,MgO层的引入改变了(Ba0.8Sr0.2)TiO3的介电特性和漏电流行为,使薄膜的漏电流降低了3个数量级,但介电常数也有相应降低.漏电流的显著降低是由MgO子层的高阻特性以及微量Mg向(Ba0.8Sr0.2)TiO3晶格中扩散造成的.     

张应变锗薄膜制备技术的研究进展

由于与硅集成电路工艺兼容的张应变锗薄膜在光电器件如光电探测器、调制器,特别是发光器件中具有潜在的应用前景,使其得到了广泛关注.然而,在锗薄膜中引入可控的、大的张应变是个挑战.综述了张应变锗薄膜制备技术的研究进展,重点介绍了在锗薄膜中引入张应变的外延技术、应变转移技术、应变浓缩技术和机械应变技术的工艺流程和实验结果,并讨论了它们的优点和缺点.采用应变浓缩技术制备的厚度为350 nm的锗薄膜微桥的单轴张应变和微盘的双轴张应变分别达到了4.9％和1.9％,可将锗调制为直接带隙材料,适用于锗激光器的研制.