用固相外延技术在硅单晶衬底上形成NiSi_2单晶薄膜的研究

利用固态相变原理,采用常规设备和真空保护气氛两步热处理方法,在硅单晶衬底上形成大面积连续、均匀的二硅化镍单晶薄膜.应用电子通道分析技术和电子衍射技术,研究二硅化镍单晶薄膜晶格完整性,指出上述形成NiSi_2的方法相对通常仅用真空或保护气氛热处理的方法而言,兼具高效率和高晶格完整性的优点.     

NiSi_2外延单晶薄膜TEM分析样品的制备方法——两步局部化学减薄法

由于自身的特点,通常制备供TEM分析用超薄样品的方法,不适合于NISi_2外延单晶薄膜.为此,提出了一种新的适合于NiSi_2外延单晶薄膜TEM分析样品的制备方法——两步局部化学减薄法.这一方法也适用于制备硅薄膜的TEM分析样品.