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化合物半导体较之 Si 具有许多良好的物理特性。Ⅲ—Ⅴ族半导体已在 LED 和激光二极管方面得到实际应用。做为未来集成电路元件材料,对于 GaAs 正在进行着积极的研究。最先是在 GaAs 中得到了红色发光。1968年首先在美国实现了 GaAsP 元化合物 LED 的实际应用。 相似文献
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近年来,使用非线性电介质元件(Non—Linear Dielectric Element;以下略记为 NLDE)的结构简单的荧光灯启动器受到重视。这种启动器是由 NLDE 同半导体开关并联连结构成,适合于电感性稳定器。NLDE 是一种以典型的电介质 BaTiO_3为主要或分的陶瓷,显示出类似单晶的电学特性,具有很大 D—E 磁滞性质。极化反转 相似文献
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这是有关在 x 线激发下具有高亮度绿色发光而最适合应用于增感纸等 x 线像转换屏的复合氧化物发光材料及其制作方法的发明。从发光材料组成来看,主要涉及 Tb 激活稀土,Ta、B 系统复合氧化物发光材料及其制备方法.众所周知,通常用于增感纸的主要发光材料,有在 x 线激发下具有高亮度近紫外—蓝色发光的 CaWO_4、LaOBr:Tm、BaFCl:Eu 等和绿色发光的 Gd_2O_2S:Tb、LaOBr:Tb 等.一般来说,增感纸应对放射线具有尽可 相似文献
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一、前言 发光二极管近几年来在计算机、钟表、仪表的数字显示及分立的超小型灯等方面得到了广泛的应用,成为一种最成功的新型显示技术。这种器件具有亮度高、价格低、功耗小、坚固可靠,能与集成电路匹配等特点,因之有着商业生产的价值。 本文将对市场上出售的或正在研制的发光二极管的工艺现状作一评述。有关发光二极管的工艺,已经有了几篇出色的评述性文章。因此,本文的内容将限于介绍最近几年来所取得的新进展。在撰写这篇文章时,用GaAsP和GaP材料制成的红、橙、黄、绿几 相似文献
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RCA公司制备出Zn掺杂的i—n(绝缘层—n型层)结构的GaN二极管。在常温下具有绿色和兰色直流场致发光特性。发绿光的二极管特性如下。 GaN绝缘层是在Zn蒸汽气氛中用汽相生长技术制得的。过去曾报导过点接触电极GaN绝缘层的场致发光。但其发光效率很低,而且只能在晶粒边界的若干微小点上发光。在报导的这种i—n结构中,观察到了 相似文献