Structure, ferroelectric and dielectric properties of Bi2WO6 with different bismuth content

This paper reports that the Bi 2 WO 6 ferroelectric ceramics with excess Bi 2 O 3 of 0.0, 2.0, 3.5 and 5.0 wt.% of the stoichiometric composition are prepared by the conventional solid-state reaction method. Their microstructure, ferroelectric properties, the concentration and mobility of the defects have been analysed systematically. With increasing Bi content, the remnant polarization decreases, and the broken-down voltage increases. The optimum Bi excess, 3.5, lowers the oxygen vacancy concentration, while further Bi-addition brings about more defects. The activation energies fitted from cole-cole plots are 0.97 eV, 1.07 eV, 1.18 eV, and 1.33 eV, respectively. This suggests that the mobility of the defects is weakened by Bi-addition, which may be due to the increase of the ratio of the number of Bi 2 O 2 layers to that of the perovskite blocks.     

基于PowderX软件的拉曼光谱数据处理

将处理 X射线衍射谱的 Powder X软件用于处理拉曼光谱数据 ,可方便地获得谱线中各个拉曼峰的位置、强度和半高宽等信息。经过平滑、去背景后 ,拉曼谱图的变化趋势与原始谱图吻合 ,谱线的信噪比及分辨率也有所提高 ,表明 Powder X软件完全可用于拉曼光谱的数据处理     

(Bi, La)4Ti3O12-Sr(Bi, La)4Ti4O15共生结构铁电材料性能研究

采用固相烧结工艺,制备了不同La掺杂量(x=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00,1.25和1.50)的(Bi, La)4Ti3O12-Sr(Bi, La)4Ti4O15 (SrBi8-xLaxTi7O27)共生结构铁电陶瓷样品.用x射线衍射对其进行微结构分析,并测量铁电、介电性能.结果发现,La掺杂未改变Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O15共生结构铁电材料的晶体结构.随掺杂量的增加,样品的矫顽场(Ec)略有增加,剩余极化(2Pr)先增大,后减小.在x＝0.50时,2Pr达到极大值,为25.6 μC*cm-2,与Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O15相比,2Pr增加了近60%,而Ec仅增加约10%.随La掺杂量的增加,样品的居里温度TC逐渐降低,x＝0.50时,TC=556 ℃.在x=1.50时,样品出现弛豫铁电体的典型特征.     

对通孔消失机理的研究以及相应的解决方案

通孔消失是困扰半导体生产的难点之一.它与产品的生产合格率息息相关,正因为如此这一问题一直摆在业界工程师面前.由于这一问题的成因较多,故在分析和解决问题上存在诸多困扰.本文实验并分析了多种通孔消失的实效模型,结合先进的缺陷测试手段对其给出了不同的解决方案.此外,对相应的光刻胶也进行了研究并将缺陷密度与光刻胶的分辨率相联系,通过研究发现较低的分辨率的光刻胶的缺陷密度也相应较低.     

KrF光刻工艺实现110nm以及更先进的技术节点

随着芯片价格的降低,为了获得更多的利润,业界必须不断向着更小（芯片尺寸）和更大（硅片面积）迈进。尽管300mm硅片与ArF光刻技术的组合已经成为了110nm以下先进工艺的主流,但是200mm硅片及KrF光刻技术以其成熟的技术、低廉的价格也在这一领域占有一席之地。由此,如何在110nm以下的技术中选择使用KrF光刻技术取代主流的ArF光刻技术成为了业界共同关心的话题。就光学复杂性本身而言,使用KrF光刻技术实现90nm技术节点,其K1因子已经达到了惊人的0.29,这与使用ArF光刻技术实现65nm技术节点可谓旗鼓相当。本文着重评估和研究了90nm技术节点上,KrF光刻技术实现多晶硅栅电极、金属1和接触孔的工艺表现。基于实验数据发现,基于先进的KrF光刻技术可以量产90nm工艺。     

检验检疫业务实时监控软件的研究与设计

随着电子政务的不断发展,对众多业务系统进行全面、集中的运行健康状态的实时监视是非常必要的,建立一套业务系统的实时自动的监控系统,不但能缓解运维压力,减轻运维人员负担,提高管理水平,同时也增强了系统的稳定性。作者以检验检疫业务系统实时监控软件为例,介绍了实时监控软件的设计原则、系统结构、功能设计、关键技术和实现的方法。     

Mo掺杂SrBi4Ti4O15陶瓷的铁电介电性能

用传统的固相烧结工艺,制备了钼掺杂铁电陶瓷样品SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷SrBi4-2x/3Ti4-xMoxO15(x=0.00,0.003,0.012,0.03,0.06,0.09).X射线衍射的结果表明,样品均为单一的层状钙钛矿结构相,Mo掺杂未改变SBTi的晶体结构.通过扫描电子显微镜观测发现,样品晶粒为片状,随掺杂量的增加,晶粒逐渐变小.铁电测量表明,Mo掺杂使SBTi的铁电性能得到较大改善.随掺杂量x的增加,样品的剩余极化(2Pr)呈现出先增大,后减小的规律.在x=0.06时,2Pr达到最大值26.5 μC/cm2,与SrBi4TiO15(2Pr=12.2 μC/cm2)相比,提高117%.材料的矫顽场Ec在掺杂后增加仅为20%左右.SBTi的居里温度受掺杂的影响甚微,说明Mo对SrBi4Ti4O15的掺杂基本未影响材料原有的良好的热稳定性.     

一种高效率光子晶体发光二极管

利用光子晶体设计了一种高效率的发光二极管结构，以一个面型光子晶体反射与输出光相反方向传播的光，以另一光子晶体反射层构成抛物面反射侧向发射的光并使之间接近于轴线的方向传播，发光区域位于抛物面的焦点平面外。当发光面直径为2F,抛物面焦心到上部与空气交界处的高度为63.83F时，可以保证从发光区域发出的光绝大部分能够透射出去，使得发光二极管的光学效率可以接近100%。我们还以1550nm的主波长发光二极管为例给出了光子晶体的结构参数的设计实例。     

Dy掺杂对Sr2Bi4Ti5O18铁电陶瓷性能的影响

用传统固相烧结法制备了Sr₂Bi_4-xDy_xTi₅ O₁₈(SBDT-x, x=0—0.20)陶瓷样品. x射线衍射分析表明, 微量的Dy掺杂没有影 响Sr₂Bi₄Ti₅O₁₈(SBTi) 原有的层状钙钛 矿结构. 通过研究样品的介电特性, 发现Dy掺杂减小了材料的损耗因子, 降低了样品铁电- 顺电相转变的居里温度. 铁电性能测量结果表明, 随Dy含量的增加, SBDT-x系列样品的剩余 极化先增大, 后减小. 当Dy掺杂量为0.01时, 剩余极化达到最大值, 约为20.1 μC·cm^-2. 掺杂引起剩余极化的变化, 与材料中缺陷浓度、内应力以及晶格畸变程度等因 素有关, 是多种作用机理相互竞争的结果. (Bi₂O₂)²⁺ 层通常被看作是绝缘层和空间电荷库, 对材料的铁电性能起关键作用. 掺杂离子进入(Bi2O₂)²⁺层会导致铁电性能变差. 关键词： 2Bi₄Ti₅O₁₈陶瓷')" href="#">Sr₂Bi₄Ti₅O₁₈陶瓷 Dy掺 杂 铁电性能 居里温度     

高峰值功率Nd:YLF/BaWO4正交偏振双波长拉曼激光器

正交偏振双波长激光在精密测量、太赫兹产生、差分雷达、光谱分析等领域有着重要的应用前景.Nd:YLF晶体具有两个发射截面相近的正交偏振发射峰,加上优异的储能性能和热性能,是适合产生正交偏振双波长激光的优良增益介质.本文采用低掺杂浓度的Nd:YLF晶体作为激光增益介质产生1047 nm和1053 nm的正交偏振双波长基频光,通过适当增大抽运光斑降低Nd:YLF晶体热裂的风险,利用BaWO₄晶体的腔内拉曼频移,实现了高峰值功率的1159.9 nm和1167.1 nm正交偏振双波长脉冲拉曼激光输出.在40 W的总入射抽运功率和5 kHz的脉冲重复频率下,获得平均输出功率为2.67 W的双波长拉曼激光输出,相应的光光转换效率为6.7%.1159.9 nm和1167.1 nm拉曼激光输出功率分别为1.31 W和1.36 W,最窄脉冲宽度分别为1.50 ns和1.53 ns,对应的峰值功率分别高达174.7 kW和177.8 kW.结果表明,降低掺杂浓度和增大抽运光斑可有效解决Nd:YLF晶体在高抽运功率下发生热裂的问题,Nd:YLF/BaWO4是实现正交偏振双波长拉曼激光输出...