硅衬底阳极氧化铝膜的荧光发射研究

报道了用电子束蒸发技术在硅守底上沉积，并于１５ｗｔ％Ｈ２ＳＯ４，温度２５℃和４０Ｖ直流电压条件下阳极氧化铝薄的制备（膜厚约４００ｎｍ）。研究了该阳极氧化铝膜的红外吸收光谱（ＦＴＩＲ）、光致荧光光谱（ＰＬ）和荧光激发光谱（ＰＬＥ）。发现其荧光光谱在２８０￣５００ｎｍ范围内由三个主发射带组成，其峰值分别位于３１２ｎｍ，３６７ｎｍ和４４９ｎｍ。所有这三个ＰＬ带，经分析都与阳极氧化铝膜中的氧化铝膜中的氧空     

基于校园配电网的校内实习基地建设

本文以校园配电网为依托,构建了校内电类专业实习基地。实习以校园地图为导航,通过对校园配电设施实地考察,使学生摸清了配电系统的脉络,了解了输配电设备的结构、功能和作用;学生通过对退役后的设备拆卸搭建重现模拟配电系统,进一步零距离接触设备,加深了实习印象,提升了实习效果。     

Mathematica软件在工业统计模型中的应用研究

Mathematica在统计模型方面应用广泛,能够解决以下各类问题:统计数据;区间估计;假设检验;回归分析;方差分析。针对工业生产过程中遇到的统计模型,利用Mathematica进行分析,可以准确快速的解决问题。     

Sm2O3掺杂的BaTiO3陶瓷的PTCR效应

施主深度为PTCR效应的关系,一方面受各种杂质乃至助烧剂影响而变得复杂化;另一方面也被很多作者所忽视。然而,这一关系可以在定程度上映射出PTCR效应的本质。海望曾指出,在BaTiO3材料中,晶界上过剩施主的堆集,能够形成晶界层中高深度的表面受主态,从而使材料PTCR效应迅速提高。尽管海望的表面受主态模型被广为接受,然而,我们研究了Sm2O3掺杂的BaTiO陶瓷中掺杂浓度与PTCR效应的关系,结果表明：随着稀土掺杂量的提高,材料的升阻比隆低。采用其他稀土元素,也得到相同的结果。因此,PTCR效应应当来源于在铁电相变点,晶界层中电子陷阱中性钡缺位被激活俘获自由电子;过剩施主的增加只能增加材料的室温电阻率,而不能提高PTCR效应。     

Sm_2O_3掺杂的BaTiO_3陶瓷的PTCR效应

施主浓度与 PTCR效应的关系 ,一方面受各种杂质乃至助烧剂影响而变得复杂化 ;另一方面也被很多作者所忽视。然而 ,这一关系可以在一定程度上映射出 PTCR效应的本质。海望曾指出 ,在 Ba Ti O3材料中 ,晶界上过剩施主的堆集 ,能够形成晶界层中高浓度的表面受主态 ,从而使材料 PTCR效应迅速提高。尽管海望的表面受主态模型被广为接受 ,然而 ,我们研究了 Sm2 O3掺杂的 Ba Ti O3陶瓷中掺杂浓度与 PTCR效应的关系 ,结果表明 :随着稀土掺杂量的提高 ,材料的升阻比降低。采用其他稀土元素 ,也得到相同的结果。因此 ,PTCR效应应当来源于在铁电相变点 ,晶界层中电子陷阱中性钡缺位被激活俘获自由电子 ;过剩施主的增加只能增加材料的室温电阻率 ,而不能提高 PTCR效应     

CdO掺杂对BaTiO3基半导化陶瓷PTCR效应的改善

钛酸钡基半导化陶瓷中的PTCR效应通常与材料中的施受主掺杂切相关,蒸汽掺杂能够大幅度影响材料的PTCR效应。CdO在高温下具有较高的蒸汽压,是一种适用的蒸汽掺杂剂,研究了CdO以及CdO蒸汽对掺Y^3+的Ba1-xSrxTiO3陶瓷的PTCR效应的影响,结果首次发现了Cd^2+掺杂样品的PTCR效应都有不同程度的提高,采用蒸汽掺杂时,效果更为显著。现有的理论很难解释Cd^2+掺杂能够提高钛酸钡基材料PTCR效应。我们从缺陷化学的角度,分析了Cd^2+在BaTiO3基材料中的行为,推断表明这种现象可能是由于铁电相变时,处于晶界区的Cd^2+在Ba位和Ti位之间转换造成的。     

硅基氧化铝纳米有序孔列阵制备

本文报道用自组织法在硅片上制备纳米多孔氧化铝列阵的技术．在Ｐ型〈１００〉晶向,电阻率为０．５Ω·ｃｍ的清洁硅片上,用电子束蒸发一层４００ｎｍ厚的９９．９９％高纯铝膜,然后将其作为阳极,浸入１５ｗｔ％Ｈ２ＳＯ４溶液中,在直流恒压４０Ｖ、恒温０℃条件下进行电化学氧化处理．处理结束后,分别用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对样品实施了平面形貌和横断面形貌观察,结果表明,在硅片上形成了一层厚约７００ｎｍ,孔间距５０ｎｍ,孔径１７ｎｍ,局域呈六度对称的氧化铝纳米有序孔列阵．这种纳米多孔列阵可用作制     

Effects of Low-Damage Plasma Treatment on the Channel 2DEG and Device Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs

We investigate the effects of remote nitride-based plasma treatment on the channel carrier and device characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs).A 200 W NH₃/N₂ remote plasma causes little degeneration of carrier mobility and an increase in electron density due to surface alteration,which results in a decrease in sheet resistance and an increase in output current by 20-30%.Improved current slump,suppressed gate leakage current,and improved Schottk...     

可控高速旋转的纳米线和纳米线微型电动机

文章报道了一种通过在微型电极上加交流电场,实现有控制地高速度转动纳米线的通用方法.纳米线的转动可以被瞬时启动或瞬时停止,转动速度（每分钟至少可达1800 rpm）,方向和总转动角度都可被精确控制.文章作者推导出了流体阻力在不同长度纳米线上施加的转矩,还用一根转动的纳米线作为微型电动机,推动灰尘颗粒做圆周运动.这种方法可以被用来转动磁性的或者非磁性的纳米线,甚至碳纳米管.这和微流机械,微搅动机,以及MEMS的关系显而易见.     

可控高速旋转的纳米线和纳米线微型电动机

文章报道了一种通过在微型电极上加交流电场，实现有控制地高速度转动纳米线的通用方法．纳米线的转动可以被瞬时启动或瞬时停止，转动速度（每分钟至少可达1800rpm），方向和总转动角度都可被精确控制．文章作者推导出了流体阻力在不同长度纳米线上施加的转矩，还用一根转动的纳米线作为微型电动机，推动灰尘颗粒做圆周运动．这种方法可以被用来转动磁性的或者非磁性的纳米线，甚至碳纳米管．这和微流机械，微搅动机，以及MEMS的关系显而易见．