100 mm InP晶圆临时键合解键合工艺技术

InP基阵列近红外焦平面探测器的研发是近年来的热点，其器件性能的提升主要依赖于化合物半导体InP芯片的工艺优化。针对超薄InP晶圆在减薄抛光工艺过程中容易出现的形变、碎裂、损伤等问题，设计了一种临时键合及解键合工艺技术。结果表明，该技术成功实现了表面具有微观结构的超薄100 mm(4英寸)InP晶圆的临时键合及解键合，有效解决了减薄生产中碎片的问题，对芯片工艺优化具有重要的指导意义。     

InP基连续面型方形微透镜设计与制作技术研究

建立了非球面连续面型方形口径微透镜性能仿真模型，利用ZEMAX软件对10°视场、50μm周期、填充因子接近100%的磷化铟微透镜面型参数进行了优化设计。开发了衍射调制动态曝光与感应耦合等离子体刻蚀系统误差补偿方法制作出的磷化铟微透镜，其表面粗糙度小于2 nm,面型数据与设计值相比误差小于1/4工作波长，达到完善成像水平。