高衬底温度下溅射淀积二硅化钛膜

我们在室温和600℃下用复合的二硅化钛靶在〈111〉向的裸硅片上溅射淀积了二硅化铁膜。室温下淀积的二硅化钛膜需要在900℃下进行烧结,以使其电阻率降低。而600℃下淀积的二硅化钛膜已经反应充分形成颗粒较大的没有氧沾污的多晶状,而且该膜抗氧化。将该膜在900℃下进行进一步退火,发现其晶体结构、成分、电阻率即晶粒大小没有变化。     

离子注入在聚乙炔膜掺杂方面的应用

实验研究了高密度(CH)_X膜的离子注入n型掺杂。在用相当低的能量(12KeV)的钠离子进行了注入的(CH)_x膜上观察到明显的掺杂效应。(CH)_x膜的注入区和原始区(p型)之间显示了P-n结的电流-电压特性,在37天多的时间里呈现了整流特性。还观察到它在空气中的稳定性获得改善。离子注入掺杂技术对于延长(CH)_x器件的寿命达到实用化来说可能是十分有用的。