S1光电阴极表面等离子激元－单电子激发对光电发射的作用

本文将表面等离子激光衰减－单电子激发光电发射理论应用于Ａｇ一Ｏ－Ｃｓ光电阴极的发射机理的研究，对其发射机理提出了一个新的观点，即认为Ａｇ－Ｏ－Ｃｓ光电阴极量子产额在８００．０ｎｍ附近的峰值是由Ｃｓ＿（１１）Ｏ＿３表面等离子激发所产生，并用这个观，久解释了一些实验现象     

Effects of Non-abrupt Interface on Waveguide Properties of SiGe/Si MQW Photodetector

With the development of MBE and MOCVD techniques,the MQW waveguide has become an important structure in some optoelectronic devices[1~3].SiGe/SiMQW waveguide photodetectors have been demonstrated.By using the SiGe/Si MQW structures as natural waveguides,a high quantum efficie...     

GeSi/Si多量子阱红外探测器波导结构的理论计算

本文采用传输矩阵的方法计算了Ge_xSi_1-x/Si量子阱红外探测器结构参量对多量子阱波导结构模场分布,光场限制因子和有效吸收系数的影响,并给出了优化设计的结果.     

S1光电阴极表面等离子激元-单电子激发对光电发射的作用

本文将表面等离子激光衰减-单电子激发光电发射理论应用于Ag-O-Cs光电阴极的发射机理的研究,对其发射机理提出了一个新的观点,即认为Ag-O-Cs光电阴极量子产额在800.0nm附近的峰值是由Cs₁₁O₃表面等离子激发所产生,并用这个观点解释了一些实验现象。