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1.
束传播方法广泛的地无源波导器件的模拟与设计,为了能够模拟有源器件,例如金属包层波导和超射发光二极管(SLD),我们将复的射率引入其中,器件的增 吸收通过折射率为描述,用复折射率的有奶差分敌意一束传播方法,我们对1.3μm直条形吸收区SLD进行了模拟与设计,并且给出一种新结构。 相似文献
2.
介绍了中央电视台英语新闻演播室技术质量调改背景,对演播室布局和承担的任务进行了详细说明,对存在的问题进行了分析,提出了调改建议,具体介绍了演播室总体视觉效果调改的方案,并对后续的制度保障进行了简要说明。 相似文献
3.
以煤油做捕收剂,采用泡沫浮选方法回收硅片切割废砂浆的碳化硅.研究了捕收剂浓度、pH值、固液比及粒度对分离效果的影响.结果表明,当捕收剂用量为50 mL ·g-1、pH值为8.3、固液比为3:400 9·mL-1、粒度为8.636μm时,分离效果最佳,此条件下回收的碳化硅纯度为99.08;. 相似文献
4.
基于计算机科学中的并发与分布式处理的概念,针对智能网的运行机制,提出了智能网系统中具有系统级并发与呼叫级并发之重特征,并就其并发机制作了进一步论述,最后对在两级并发机制中均起重要作用的消息及其生命周期作了较深入的讨论。 相似文献
5.
提出了一种改进的遗传算法,应用于提取GaAs MESFET小信号等效电路参数.改进的算法采用浮点编码连续突变,多种遗传操作合作运行,并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象,该算法可快速搜索到全局最优解而不受初始值限制.在0.1~10GHz范围内实现了精确、快速地提取GaAs MESFET小信号等效电路参数,并可合理外推至20GHz,整个过程无需人工干预.算法用Matlab语言实现,可方便地应用于HBT和HEMT以及无源元件电容、电感的参数提取. 相似文献
6.
We have preformed systematical ab initio studies of the structural and electronic properties of short-period Si1-xⅣx/Si (x = 0.125, 0.25, 0.5, Ⅳ=Ge, Sn) superlattices (SLs) grown along the [001] direction on bulk Si. The present calculations reveal that the Si0.875Ge0.125/Si, Si0.75Ge0.25/Si and Si0.875Sn0.125/Si are the F-point direct bandgap semiconductors. The technological importance lies in the expectation that the direct gap Si1-xⅣx/Si SLs may be used as components in integrated optoelectronic devices, in conjunction with the already well-established and highly advanced silicon technology. 相似文献
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