导弹抗激光加固技术的发展

激光问世不久,人们就产生了用激光作武器的想法,并进行了概念设计、总体技术、高能激光器、光束控制、发射系统、目标识别、瞄准和跟踪系统、大气传输、目标破坏机理等方面的大量研究工作.目前研究结果表明:激光对目标的破坏机理主要有三种效应,即热烧蚀、力学效应和辐射破坏.实际上对目标的破坏,往往是这些效应综合作用的结果.不管上述哪种效应,都要求使目标上接收到足够的辐照度.美国的战术型激光武器已经装备部队,用于战区反弹道导弹的机载激光武器已进入装备研制阶段.所以激光对导弹已经构成了现实的威胁.因此,在研究激光对导弹的破坏效应的同时,研究导弹的抗激光加固措施是很重要的.主要包括导弹壳体加固,含抗激光辐射的壳体结构、加固层、涂料,抗激光辐射的材料;导弹导引头罩的抗激光加固;光学和光电装置的抗激光加固等.为了增强导弹等武器装备的抗激光性能,美国国防部采取的措施是:(1)在光电武器系统中,只要效费比合算,就需根据预计的激光威胁以及该系统对这种威胁的敏感性和易损性,采取相应的防护加固和对抗措施.这些系统包括现有的和正在研制中的.(2)所有采用光电装备的新系统,都必须检验它们抗激光武器攻击的能力.这种检查通过正常的国防武器系统新产品审议委员会或其他适当的审批程序进行.     

含菲罗啉基α,ω-双香豆素长链化合物光化学行为的研究

α,ω-双香豆素长链化合物的光二聚反应,由于香豆素基受长链的束缚,被限制于一定的活动空间,从而地提高了其光二聚反应的效率,已见诸于过去的报道^[1].同时文献也表明香豆素及其衍生物如呋喃并8-甲氧基香豆素等,由于3,4-双键的缺电子性,因而能够和富电子的烯烃如四甲基乙烯等通过光诱导电子转移生成激基复合物(Exciplex),然后实现(2+2)光加成反应^[2].在Wels等^[3]的研究工作中四甲基乙烯的用量约10倍于香豆素的用量,他们认为四甲基乙烯障碍或干扰了香豆素激基缔合物(Excimer)的生成,使香豆素的二聚反应猝灭而形成烯烃和香豆素的光环加成产物.本工作合成了一新型A,X-双香豆素长链化合物,在其联接链中除联有四甘醇外,还带有一菲罗啉基.同时该分子中菲罗啉和香豆素的摩尔比为1:2.十分显然,这一化合物在光照过程中可能存在两类不同的光环加成反应,即香豆素间或香豆素与菲罗啉间的反应.本文对此问题进行了初步研究.     

碳和氮原子在氧沉淀中的作用

本文研究硅中碳、氮原子对氧沉淀的作用机制,指出硅中碳、氮对间隙氧相互作用构成碳－硅－氧、氮对－硅－氧复合体,它们脱溶成核、构成氧沉淀的异质形核中心,促进氧沉淀的生成．文章指出硅中的氮仅参与氧沉淀的成核,而碳原子因条件而异,既可参与氧沉淀的成核,也可参与氧沉淀的长大．研究表明,高碳样品,在低于９００℃的热处理时,碳原子参与氧沉淀的长大,可显著降低氧沉淀引起的体积应变能,促进氧沉淀的长大;高于９００℃的热处理,碳原子可不参与氧沉淀的长大．但如果不经过高温预处理,由于在低温热历史中,碳原子已参与氧沉淀胚核的形成     

α,ω-双(4-甲基香豆素)长链化合物的光二聚反应

有关α,ω-双香豆素长链化合物的分子内光二聚反应,在不同极性溶剂中均发生反应的事实,使人们考虑到有可能在非极性溶剂中使带有阻碍基团的4-甲基豆素也易发生光二聚反应。为此我们以三缩四乙二醇为支撑体合成了α,ω-双(4-甲基香豆素)长链化合物,并研究了它的光二聚反应。     

氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用

通过常温下压痕之后的高温热处理实验 ,研究了掺氮直拉硅单晶 (NCZSi)中氮杂质对位错滑移的钉扎作用 ,以及塑性变形能在热处理过程中通过位错的滑移释放的机理 .实验结果表明氮杂质对位错有着较强的钉扎作用 ,使掺氮直拉硅单晶中的位错在同一温度下热处理时的滑移距离均小于普通直拉硅单晶 (CZSi) .同时指出 ,NCZSi的位错激活能比 CZSi的要高 ,NCZSi中塑性变形能通过位错滑移释放较 CZSi快 ,并讨论了压痕造成的塑性变形能通过位错的滑移而释放的可能机理     

Photochromic properties and reaction mechanism of naphthopyran

The photochromic properties and reaction mechanism of title compounds have been examined with steady method on compounds 3-phenyl-3-[3-methylbenzothiophene-2-yl]-3H-naphtho[2,1-b]pyran (1) and 3-phenyl-3-[benzofuran-2-yl]-3H-naphtho[2,1-b]pyran (2) and nanosecond laser flash photolysis techniques on compound 3-phenyl-3-[1,2-dimethylindol-3-yl]-3H-naphtho[2,1-b]pyran (3). The influence of oxygen on transient spectra and decay kinetics of compound 3 has been investigated. Both excited singlet state and triplet state are involved in the photochromic mechanism of compound 3. The influence of molecular structure on photochromic behavior has been studied also. Decay kinetics indicated that the lifetime of colored forms of 1 and 2 were several orders of magnitude longer than that of 3.     

香豆素化合物在不同溶剂中荧光研究

Two kinds of modified coumarin derivatives with another intramolecular conjugated charge transfer moiety have been synthesized in this work. The photophysical behavior of these compounds in solvents with different polarity and viscosity were studied. Much low and wide span of spectral range of these compounds are due to the existence of the flexible non-symmetrical stilbene structure and low intramolecular charge transfer ability.     

氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用

通过常温下压痕之后的高温热处理实验,研究了掺氮直拉硅单晶(NCZSi)中氮杂质对位错滑移的钉扎作用,以及塑性变形能在热处理过程中通过位错的滑移释放的机理.实验结果表明氮杂质对位错有着较强的钉扎作用,使掺氮直拉硅单晶中的位错在同一温度下热处理时的滑移距离均小于普通直拉硅单晶(CZSi).同时指出,NCZSi的位错激活能比CZSi的要高,NCZSi中塑性变形能通过位错滑移释放较CZSi快,并讨论了压痕造成的塑性变形能通过位错的滑移而释放的可能机理.     

萘并吡喃类化合物的光致变色性质和反应机理

对化合物(1)3-苯基-3-[3-甲基苯并噻吩-2-基]-3H-萘并[2,1-b]吡喃,化合物(2)3-苯基-3-[苯并呋喃-2-基]-3H-萘并[2,1-b]吡喃和化合物(3)3-苯基-3-[1,2-二甲基吲哚-3-基]-3H-萘并[2,1-b]吡喃分别用稳态方法和激光光解技术研究了它们的光致变色性质和反应机理.氧对化合物3的瞬态吸收光谱和衰减动力学的影响表明3的开环过程以激发单重态为主,但也有激发三重态的参与.研究了分子结构对光致变色行为的影响.衰减动力学研究表明,化合物1和化合物2的呈色体的寿命比化合物3大几个数量级.