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1.
设计了2.5Gb/s光纤通信用耗尽型GaAs MESFET定时判决电路.通过SPICE模拟表明恢复的时钟频率达2.5GHz,判决电路传输速率达2.5Gb/s.实验证明经时钟信号抽样后判决电路可产生正确的数字信号,传输速率达2.5Gb/s.
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2.
研究了光照对砷化镓阈值电压均匀性的影响.结果表明光照使耗尽型MESFET器件的沟道电流增大,使阈值电压向负方向增加,并提高了阈值电压的均匀性.研究认为砷化镓单晶材料的深能级缺陷是影响MESFET阈值电压均匀性的重要因素之一,而光照在一定程度上减弱了这一影响.
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3.
设计了 2 .5 Gb/ s光纤通信用耗尽型 Ga As MESFET定时判决电路 .通过 SPICE模拟表明恢复的时钟频率达2 .5 GHz,判决电路传输速率达 2 .5 Gb/ s.实验证明经时钟信号抽样后判决电路可产生正确的数字信号 ,传输速率达 2 .5 Gb/ s
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4.
研究了光照对砷化镓阈值电压均匀性的影响.结果表明光照使耗尽型MESFET器件的沟道电流增大,使阈值电压向负方向增加,并提高了阈值电压的均匀性.研究认为砷化镓单晶材料的深能级缺陷是影响MESFET阈值电压均匀性的重要因素之一,而光照在一定程度上减弱了这一影响.
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