二氧化硅与硅界面及其对能带轮廓及MOSFET栅遂穿电流影响的理论研究

利用第一原理对双键及桥氧两种二氧化硅与硅界面模型进行了理论研究。结果表明双键模型的界面转变区宽度较大。这种差别会导致MOSFET栅漏电的不同。遂穿电流的计算表明界面双键模型结构有较大的栅漏电。     

亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性

用二维模拟软件 ISE研究了典型的 70 nm高 K介质 MOSFETs的短沟性能 .结果表明 ,由于 FIBL 效应 ,随着栅介质介电常数的增大 ,阈值电区减小 ,而漏电流和亚阈值摆幅增大 ,导致器件短沟性能退化 .这种退化可以通过改变侧墙材料来抑制     

硅上后热氧化钛膜制备氧化钛及其电学特性

采用在硅上磁控溅射金属钛膜再热氧化的工艺制备了多晶氧化钛薄膜.测量了Ag/TiOx/Si/Ag电容器的I-V和C-V特性.结果表明,氧化钛薄膜的厚度为150～250nm,其介电常数是40～87.随着氧化时间的缩短,氧化钛薄膜中的固定电荷减少,漏电特性得到改善.     

(La0.7Sr0.3MnO3 )m(BiFeO3)n 超晶格结构的导电机理

利用射频磁控溅射的方法在SrTiO₃(001) 基片上制备了(La_0.7Sr_0.3MnO₃)_m(BiFeO₃)_n超晶格结构.对所制备的超晶格结构进行了50—150℃温度范围内的电流-电压测试分析.结果表明,随着BiFeO₃薄膜的厚度减小,温度的升高,(La_0.7Sr_0.3MnO₃)_m(BiFeO₃)_n超晶格结构的电流变大.进一步根据介质导电模型对(La_0.7Sr_0.3MnO₃)_m(BiFeO₃)_n超晶格结构的导电特性做了分析.在温度较低或者电场较弱时,所制备的(La_0.7Sr_0.3MnO₃)_m(BiFeO₃)_n超晶格结构表现为欧姆导电,而在高温,高电场的情况下,其导电行为由空间电荷限制电流机理主导. 关键词： 超晶格薄膜 多铁 空间电荷限制电流     

(BiFeO3)25/(La0.7Sr0.3MnO3)25 多层膜的光学和电学性质

采用射频磁控溅射方法在(001)SrTiO₃衬底上制备(001)取向的(BiFeO₃)₂₅/(La_0.7Sr_0.3MnO₃)₂₅多层膜.光学测试结果表明,1.3-2.1 eV范围内,相对于衬底而言多层膜光吸收增强; BiFeO₃的带隙为2.7 eV. 另外,结合绝缘介质导电模型分析了所测得的电流-电压数据,在所测试的温度及电压下,所制备的(BiFeO₃)₂₅/(La_0.7Sr_0.3MnO₃)₂₅多层膜的导电机理由空间电荷限制电导主导. 关键词： 多层膜 吸光度 空间电荷限制电导     

Theoretical study of the SiO2/Si interface and its effect on energy band profile and MOSFET gate tunneling current

Two SiO_2/Si interface structures,which are described by the double bonded model(DBM) and the bridge oxygen model(BOM),have been theoretically studied via first-principle calculations.First-principle simulations demonstrate that the width of the transition region for the interface structure described by DBM is larger than that for the interface structure described by BOM.Such a difference will result in a difference in the gate leakage current. Tunneling current calculation demonstrates that the SiO_2/Si...     

硅上后热氧化钛膜制备氧化钛及其电学特性

采用在硅上磁控溅射金属钛膜再热氧化的工艺制备了多晶氧化钛薄膜.测量了Ag/TiOx/Si/Ag电容器的I-V和C-V特性.结果表明,氧化钛薄膜的厚度为150～250nm,其介电常数是40～87.随着氧化时间的缩短,氧化钛薄膜中的固定电荷减少,漏电特性得到改善.     

亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性

用二维模拟软件ISE研究了典型的70nm高K介质MOSFETs的短沟性能.结果表明,由于FIBL效应,随着栅介质介电常数的增大,阈值电区减小,而漏电流和亚阈值摆幅增大,导致器件短沟性能退化.这种退化可以通过改变侧墙材料来抑制.