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郭春生 李秀宇 朱春节 马卫东 吕长志 李志国 Guo Chunsheng Li Xiuyu Zhu Chunjie Ma Weidong Lü Changzhi Li Zhiguo 《半导体学报》2007,28(Z1):448-451
基于序进应力加速寿命实验的研究,提出了一种快速确定半导体器件失效率及寿命分布的新方法.该方法将序进应力加速实验应用于失效率评价中,在计算失效激活能并外推寿命的基础上,快速确定微电子器件的寿命分布及相应的失效率.以样品3DG130为例,在160~310℃范围内进行了序进应力加速寿命实验,然后根据模型计算得到了器件的寿命、分布和失效率.结果与文献吻合很好,验证了方法的可行性. 相似文献
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