XD－YES：IC功能成品率模拟器的实现

首先建立缺陷空间分布和粒径分布的模型，并讨论了缺陷通过版图产生电路错误的过程，给出了ＩＣ功能成品率模拟器ＸＤ－ＹＥＳ的实现。用ＸＤ－ＹＥＳ对微电子测试图和实际ＩＣ的功能成品率模拟和分析表明，其结果与实际符合很好，从而表明ＸＤ－ＹＥＳ的可行性和实用性。     

集成电路功能成品率模拟与设计方法

本文基于在缺陷空间分布和粒径分布的模型，研究并讨论了计算集成电路（ＩＣ）功能成品率的理论和模拟ＩＣ功能成品率的方法．为了验证所研究方法和模型的正确性，对测试图样和实际ＩＣ的功能成品率进行模拟，并分析了影响功能成品率的几个因素，得到了有益的结果．     

多晶硅栅离子注入杂质对MOS器件亚阈特性的影响

通过工艺模拟和实验，在引入多晶硅栅等效电容概念的基础上，建立了MOS器件亚阈特性的修正模型，并讨论了多晶硅杨高于往入杂质类型对器件亚阈特性的影响。采用常规1μmNMOS工艺制备的晶体管使用了两种源漏、多晶硅栅掺杂方案──P、As用于比较，每一硅片上均包含四种几何尺寸不同的NMOS管。测量所得的亚阈特性参数与模拟及修正模型推导结果相一致，进一步证明了模型与实际器件的统一。     

硅片缺陷粒径分布的分形特征及动力学模型

本文研究硅片上与光刻工艺相关的尘粒的粒径分布，分析缺陷粒径分布的分形特征，利用缺陷粒径的分布函数得到缺陷粒径体系的分维数，建立缺陷粒径分布的分形模型，同时给出此模型所得参数的物理意义。最后，本文对缺陷粒径变化过程给出了新的动力学模型，并对此进行分析和讨论。揭示光刻缺陷的粒径分布及其动力学成因，为集成电路可制造性设计及功能成品率的精细表征开辟了一条新径。     

XD－YES：IC功能成品率模拟器的实现

首先建立缺陷空间分布和粒径分布的模型，并讨论了缺陷通过版图产生电路错误的过程，给出了ＩＣ功能成品率模拟器ＸＤ－ＹＥＳ的实现。用ＸＤ－ＹＥＳ对微电子测试图和实际ＩＣ的功能成品率模拟和分析表明，其结果与实际符合很好，从而表明ＸＤ－ＹＥＳ的可行性和实用性。     

集成电路硅片上缺陷空间分布的分形表征

本文主要研究集成电路硅片上缺陷的空间分布，在详细考察缺陷空间成团效应的基础上，提出了一个新的描述缺陷空间分布的量－分数维，并建立了一个结构化的模型。用分数和维对缺陷的成团效应及其空间分布进行详细地分析和计算机模拟，并验证了结果的正确性。本文为实现集成电路可制造性设计中的功能成品率精确表征奠定了基础。