不饱和硼烯HClN=B:重排反应的DFT研究

采用量子化学中的密度泛函方法, 在B3LYP/6-311G**水平上研究了不饱和硼烯HClN=B:的重排反应机理。结果表明, 无论是氢原子H迁移还是氯原子Cl迁移都经过1个三元环过渡态,生成直线型产物。但氢原子H迁移是在面内进行, 而氯原子Cl迁移是在面外进行。根据计算结果,详细研究了不饱和硼烯HClN=B:重排反应的热力学及动力学函数, 在此基础上讨论了不饱和硼烯HClN=B:的存在寿命问题。     

反式共轭类碳烯CH_2CH—CHC∶LiF的构型及异构化反应

用MP2 / 6 - 31G 解析梯度方法研究了反式共轭类碳烯CH2CH—CHC∶LiF的结构 .得到 3个平衡构型和 2个异构化反应的过渡态 .计算结果表明 ,反式共轭类碳烯有两种比较稳定的平衡构型 .分析了各平衡构型的结构特点及稳定性 ,给出了各种平衡构型及过渡态结构的Mulliken集居数 ,并讨论了两种稳定构型的化学活性     

Synthesis and Crystal Structure of One-dimensional Chain Zinc(II) Coordination Polymer:{Na[ZnL(H2O)2]}n(L=2-Hydroxyl-2-hydroxylate-malonate Trivalent Anion)

1 INTRODUCTION For a long time much research interest has been focused on coordination polymers because such new coordination polymers may afford new materials with useful properties such as catalytic activity, mi- croporosity, electrical conductivity, …     

有机同系物的指数型同系线性规律（Ⅱ）──共轭多烯链状化合物电子光谱的验证

用共轭多烯链状化合物电子光谱的数据,对指数型同系线性规律进行验证。结果表明指数型同系线性规律具有广泛适用性和较高精确度。在所研究的７１个系列１６９组吸收峰数据中,相关系数属于“优”和“良”的组数总和占总数的９９％以上。     

2～20GHz分布式单片放大器设计

介绍了一种采用0.15μm GaAs PHEMT工艺设计加工的2～20 GHz宽带单片放大器,为了提高电路的整体增益和带宽,在设计电路时采用两级级联分布式结构。此种电路结构不仅能够增加整体电路的增益和带宽,还可以提高电路的反向隔离,获得更低的噪声系数。利用Agilent ADS仿真设计软件对整体电路的原理图和版图进行仿真优化设计。后期电路在中国电子科技集团公司第十三研究所砷化镓工艺线上加工完成。电路性能指标:在2～20 GHz工作频率范围内,小信号增益>13.5 dB;输入输出回波损耗<-9 dB;噪声系数<4.0 dB;P-1>13 dBm。放大器的工作电压5 V,功耗400 mW,芯片面积为3.00 mm×1.6 mm。     

GaAs 10 bit DAC的抗辐射设计和实验

通过分析砷化镓(GaAs)器件的电离辐射剂量率辐照机理和效应,结合电路结构,描述了砷化镓10 bit数模转换器(DAC)的电离辐射剂量率辐射效应、抗辐射设计和辐照实验。在电路设计上,10 bit DAC由两个5 bit DAC组成,通过芯片内部合成10 bit DAC,有效降低了芯片面积和制造工艺难度;通过分析电路的电离辐射剂量率辐射效应,针对敏感电路进行局部电路的抗辐射设计,提高电路抗辐射能力;结合实验条件和器件引线分布,设计合理的辐照实验方案,开发辐照实验电路板,进行辐照实验,获得科学的实验结果,验证电路的抗辐射能力。实验结果表明该数模转换器能够抗3×1011rad(Si)/s剂量率的瞬时辐照。     

反式共轭类碳烯CH2=CH-CH=C:LiF的构型及异构化反应

用MP2／6－31G^**解析梯度方法研究了反式共轭类碳烯CH2＝CH－CH＝C：LiF的结构。得到3个平衡构型和2个异构化反应的过渡态。计算结果表明，反式共轭类碳烯有两种比较稳定的平衡构型。分析了各平衡构型的结构特点及稳定性，给出了各种平衡构型及过渡态结构的Mulliken集居数，并讨论了两种稳定构型的化学活性。     

超宽带延时幅相控制多功能芯片的设计

针对航空航天和卫星通信等设备的需求,介绍了一款超宽带延时幅相控制多功能芯片。该芯片集成了数字和微波电路,有T/R 开关、5 位数控延时器(10 ps 步进TTD)、5位数控衰减器(1 dB 步进ATT)、2 个行波放大器、均衡器及数字电路。基于GaAs E/D PHEMT 工艺研制出了芯片实物,芯片尺寸为4.5 mm*5.0 mm*0.07 mm。采用微波在片测试系统对该幅相控制多功能芯片进行了实际测试,在3 ~ 17 GHz 频段内实现了10~310 ps 延时范围,1~31 dB 衰减范围。测试结果显示,发射/接收增益大于2 dB,发射1 dB 压缩输出功率P1 dB_Tx大于12 dBm,接收1 dB 压缩输出功率P1 dB_Rx大于10 dBm,全态输入输出驻波均小于1.7,+5 V 下工作电流130 mA,-5 V 下工作电流12 mA。衰减器全态RMS 精度小于1.4 dB,全态附加调相小于±8°。延时器全态RMS 精度小于3 ps,全态附加调幅小于±1 dB。     

不饱和硼烯HCIN=B：重排反应的DFT研究

采用量子化学中的密度泛函方法，在B3LYP/6-311G**水平上研究了不饱和硼烯HCIN=B：的重排反应机理。结果表明，无论是氢原子H迁移还是氯原子Cl迁移都经过1个三元环过渡态，生成直线型产物，但氢原子H迁移是在面内进行，而氮原子Cl迁移是在面外进行，根据计算结果，详细研究了不饱和硼烯HClN=B:重排反应的热力学及动力学函数，在此基础上讨论了不饱和硼烯HClN=B:的存在寿命问题。