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1.
超混沌保密通信系统的线性反馈设计方法   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文就超昆沌通信问题,提出了一种超混沌保密通信系统的线性反馈设计方法,并阐明它是一种APD(active-pas-sive decomposition)同步系统的构造方法。这种设计方法的优点在于采用了固定的线性反馈结构,而与原始系统的形式无关。我们分别给出了两个例子,一个是基于4维流形分段线性超混沌电路的连续系统,一个是基于耦合映象格子的离散系统。解析分析和模拟结果都证明了这种方法的有效性。  相似文献   
2.
动目标多卜勒信号的分维特征   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文利用375甲近程地面侦察雷达收集的动目标数据,分析了三类动目标(人,自行车和卡车)多卜勒信号的分维结构,结果表明测试的三类动目标具有不同的分维,为用分维特征识别动目标提供了依据。  相似文献   
3.
简要叙述了介质镀膜对半导体激光器性能的影响。在1.3μmInGaAsP/InP激光器(LD)、超辐射发光二极管(SLD)和发光二极管(LED)上进行了大量的Al2O3和ZrO2减反射膜的工艺研究。结果表明,该减反射膜使激光器阈值电流增加,并将部分激光器变成了超辐射发光二极管。减反射膜还显著地改进超辐射发光二极管的性能,增加其输出功率。它也能导致发光二极管的输出功率的有效增加。  相似文献   
4.
通过将相转化法制备的Ni-BaZr0.1Ce0.7Y0.2O3-δ(BZCY)纤维膜生坯在5%H2/95%Ar混合气体中直接烧结, 制备出了气密具有“三明治”结构的Ni-BZCY金属陶瓷中空纤维膜. 靠近内外表面是指状孔结构而中间部分是致密层. 当膜管外湿润的20%H2/80%N2混合气体流量是200 mL/min,膜管内高纯Ar气的流量是150 mL/min时,Ni-BZCY中空纤维膜的氢渗透率达到了0.53 μmol/cm2s.  相似文献   
5.
使用接触角、原子力显微镜(AFM)、静电力显微镜(EFM)和傅里叶变换红外(FTIR)光谱对辛基三乙氧基硅烷(C8TES)/十八烷基三氯硅烷(OTS)均相混合自组装单分子膜(SAM)及其形成过程中样品表面的润湿性、表面形貌、表面电势和膜内分子的有序度进行了表征,对采用分步法利用C8TES分子空间位阻制备C8TES/OTS均相混合SAM的反应机制进行了研究. 结果表明,C8TES/OTS均相混合SAM表面接触角为105°,样品表面平整、光滑;对样品表面电势进行分析后发现,混合SAM表面电势分布均匀,电势频率分布为典型的正态分布;在均相混合SAM的形成过程中,样品表面电势的分布始终十分均匀,电势频率分布均为典型的正态分布;C8TES/OTS均相混合SAM是一种具有上下两层分子排列密度不同的膜结构的单分子膜,其内部结构至少在500 nm×500 nm到20 μm×20 μm尺度上是高度均匀一致的,膜内没有明显的特征结构,具有典型的均相混合SAM特征.  相似文献   
6.
设计并制作了用于高精度光纤陀螺的1.3μm低电流超辐射发光二极管组件.采用隐埋异质结结构,实现了良好的电流限制和光限制,同时采用长腔结构来提高器件单程增益,从而获得了高的输出功率.组件具有工作电流小、输出功率高,以及光谱特性好等特点.测试结果表明,在70mA工作电流下,组件尾纤输出功率大于0.1mW,光谱宽度大于30nm.  相似文献   
7.
朱志文 《半导体光电》1992,13(2):126-129
光栅衬底液相外延是分布反馈激光器研制的关键技术之一。利用 Sn-In-p 和 GaAs 单晶作为光栅衬底表面的高温热保护盖片,有效地解决了光栅表面高温热损伤问题,在光栅表面重复地生长出了高质量的外延层,并以此为基础,研制出了DFB 激光器。  相似文献   
8.
本文报导1.3μm InGaAsP/InP内条限制部分注入全金属化耦合封装侧面发光二极管的结构、制作及器件特性。在100mA工作电流下,器件尾纤出纤功率典型值40μW,最大超过60μW,光谱宽度70nm,上升/下降时间小于2.5ns。该器件是中短距离,中小容量光纤通信系统和光测量系统的理想光源。  相似文献   
9.
1.55μm InGaAsP/InP 超辐射发光二极管组件是为高精度光纤陀螺研制的光源.组件采用标准14针双列直插式管壳,熊猫型保偏光纤对准耦合,激光焊接,全金属化耦合封装.为了获得高输出功率,宽发射光谱,抑制受激振荡,采用了倾斜条形波导结构.组件尾纤输出功率大于0.1mW,光谱宽度大于15nm,工作电流小于150 mA.  相似文献   
10.
本文用共浸法制备了一系列铂镨催化剂,在微型反应器—色谱仪—色谱数据处理机联合装置上,研究正庚烷在上述催化剂上的重整反应。结果表明:载体对催化剂活性有明显影响;稀土镨改变了负载型铂催化剂的催化性能,其改性作用随着反应条件和稀土元素含量的不同而异。温度773°K压力98  相似文献   
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