YBa2Cu3O7—δ高温超导薄膜微桥结在微波辐照下的响应特性

采用偏轴直流磁控溅射原位生长ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜，以Ｈ３ＰＯ４为腐蚀液，采用化学湿刻工艺制作ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜微桥，微桥长１０μｍ，宽５μｍ，在８ｍｍ微波源的辐照下，除观察到整数常压台阶外，还观察到ｎ＝１／２，１／５，６／５，９／５等分数常压台阶，分数台阶的高度随微波功率的变化较整数台阶更敏感。     

影响碲镉汞晶体电子迁移率的主要因素

通过把迁移率的实测值与影响ＨｇＣｄＴｅ晶体电子迁移率的主要散射机构进行对比，得出结论：位错是ＨｇＣｄＴｅ晶体低温电子迁移率降低的主要原因。     

YZr2OZr3:Er3+纳米晶anti-Stokes发光性质的研究

采用均相沉积法制备了不同Er³⁺离子浓度掺杂的Y₂O₃纳米晶, 应用XRD，SEM和PL光谱对该体系材料进行了表征.在Y₂O₃:Er³⁺纳米材料体系中, 观察和研究了Stokes及anti-Stokes PL谱强度与Er³⁺离子摩尔浓度变化的关系, 当Er³⁺离子浓度为2.0mol%时, anti-Stokes PL强度最强.粉末X 关键词： 氧化钇纳米晶 anti-Stokes PL 双光子吸收     

中红外片上集成光电子综述（特邀）

信息技术的发展使得通讯波段集成光子技术在过去的几十年中被广泛重视并取得了突出进展,目前已走向商业化,这一技术的发展也激发了人们对于中红外波段（2~20 μm）片上光子集成的兴趣。中红外波段在空间光通信、热成像、物质探测分析等关乎国家发展、国防安全、民生改善等技术领域具有重要的应用前景。利用半导体工艺实现中红外光电子系统芯片小型化在尺寸、功耗以及大规模量产部署具有重大优势。因此,发展中红外片上集成光电子技术具有重大意义。文中主要针对于中红外波段片上集成的一些关键基础器件（如:调制器、探测器）的突破性进展及代表性工作进行了回顾;对各器件的种类、性能、参数及加工手段分别进行了较为全面的调研与比较;同时,也对器件的发展进程、亟待解决的问题以及对未来的展望进行了总结。     

无源超高频抗金属标签天线设计方法综述

射频识别( RFID)技术的不断发展,对标签天线提出了更高的要求。普通标签天线直接应用于金属表面时,由于受到金属边界的影响,其性能会出现一定程度的下降。详细介绍了4种无源超高频抗金属标签天线的设计方法,包括调整天线与金属面的间距、采用吸波材料、引入高阻抗表面基板、采用平面倒F天线( PIFA)或微带天线结构,并分析了每种方法的优缺点及其对标签天线的阻抗匹配、带宽、尺寸、识别距离以及成本等方面的影响。微带贴片天线不仅具有低剖面、高方向性等优点,而且含有金属接地板,常用作抗金属标签天线的设计原型。在抗金属标签天线的设计与实际应用中,研究者可针对具体要求灵活运用这些设计方法。     

磁场对抛物量子点中极化子内部激发态的影响

采用线性组合算符和幺正变换方法研究了外场对抛物量子点中极化子的激发态性质的影响,导出了强、弱耦合情况下极化子的第一内部激发态能量E1、激发能量ΔE、共振频率ω与量子点的有效受限长度l0、电子-声子耦合强度α以及外场B的关系。数值计算结果表明,不论强、弱耦合,磁场中量子点内极化子的λ、E1、ΔE和ω都随l0的减小而增大,而且都随回旋频率ωc(磁场B)的增大而增加。另外,在弱耦合情形下,λ、ΔE和ω均与α无关,而E1随α的增大而减小。相反,在强耦合情形下,λ、E、ΔE和ω均随α的增大而增加。     

归去来兮——Vifa扬声器

与本刊已经介绍过的丹麦扬声器品牌Scan Speak与Audio Technology相比,走平价普及路线的Vifa的历史要长得多,仅次于Peerless,既便从全世界范围的扬声器制造商来看,Vifa的营业历史之长也是屈指可数的.     

备受推崇的极品：Audio Technology扬声器单元

大约从2000年开始，《高保真音响》杂志就开辟过“扬声器名厂巡礼”的栏目，特约作者周彦武先生在该专栏连载了文章。详细介绍了Audax、ATC,Dynaudio、Peerless,Focal、Seas、Scans．peak、Vifa等世界著名的扬声器名厂的历史沿革、技术特点和著名型号的单元；该栏目得到了读者和业界的广泛好评，以至于多年以后还有读者不断提到那些文章，一些内容也不断在互联网上被反复复制粘贴，广泛传播。     

Preparation and reaction of bis (perfluoroalkanesulfonyl) methyl halides

Halogenation of the potassium or silver salts of bis(trifluoromethanesulfonyl)methane (CF3SO2)2CH2 and its cyclo analogues 1 with N-fluoro-bis(trifluoromethanesulfonyl)imine [(CF3SO2)2-NF], chlorine or bromine gave good yields of the corresponding α-halo disulfone (CF3SO2)2CHX and cyclo analogues 9, 10. The chemical transformation of these fluorinated α-halo-disulfones are described.