三值“阈”门和T门集成电路的实现

本文介绍了一种结构简单、适于集成化的三值“阈”门电路,并设计了一个多功能三值T门集成电路。给出了它们的研制结果、逻辑操作波形以及线性“与或”门三值运用时的瞬态特性分析结果。实验表明:我国提出的多元逻辑(DYL)电路结构在实现多值集成电路方面同样有广阔前景。     

背面Ar~+轰击对n~-沟MOSFET特性的影响

研究了低能量背面 Ar+轰击对 n-沟 MOSFET特性的影响 .用低能量 (5 5 0 e V)氩离子束轰击 n-沟 MOSFET芯片的背面 ,能改善其阈值电压 VT、跨导 gm、沟道电导 gd 和有效迁移率 μeff等参数 .结果表明 ,随着轰击时间的增加 ,阈值电压先减小 ,随后变大 ;而跨导、沟道电导和有效迁移率先增大 ,随后减小 .实验证明 ,上述参数的变化是由于界面态密度和固定电荷密度变化的结果     

用固相外延技术在硅单晶衬底上形成NiSi_2单晶薄膜的研究

利用固态相变原理,采用常规设备和真空保护气氛两步热处理方法,在硅单晶衬底上形成大面积连续、均匀的二硅化镍单晶薄膜.应用电子通道分析技术和电子衍射技术,研究二硅化镍单晶薄膜晶格完整性,指出上述形成NiSi_2的方法相对通常仅用真空或保护气氛热处理的方法而言,兼具高效率和高晶格完整性的优点.     

硅衬底的SrTiO3淀积膜的湿敏特性与机理研究

对无定形多孔SrTiO₃膜电导率随相对湿度的变化进行了理论模型分析.该模型也适用于其他多孔半导体陶瓷材料.实验样品用氩离子束镀膜技术在SiO₂/Si衬底上淀积SrTiO₃膜并制成平面型电阻结构.结果表明，在室温下，当相对湿度从12%变化至53%时，电流缓慢下降；而当相对湿度从53%变化至92%时，电流又显著上升，即在高湿度条件下具有良好的湿敏特性.电流及其在高湿条件下的上升率随测试频率而增大.吸附响应时间明显长于脱附时间. 关键词：     

关于硼杂质在二氧化硅中扩散机理的探讨

实验发现,在硅平面器件硼预沉积时,硼杂质在二氧化硅中的扩散系数远远偏离理论值.为进一步解析这种现象,本文提出了一种硼杂质在二氧化硅中具有双重扩散机构及分层扩散的初步设想.我们认为,利用这一设想,能较好地解析实验结果.实践表明,本实验结果为硅平面器件硼扩散工艺的改革提供了参考依据,并取得了较好的效果.     

NiSi_2外延单晶薄膜TEM分析样品的制备方法——两步局部化学减薄法

由于自身的特点,通常制备供TEM分析用超薄样品的方法,不适合于NISi_2外延单晶薄膜.为此,提出了一种新的适合于NiSi_2外延单晶薄膜TEM分析样品的制备方法——两步局部化学减薄法.这一方法也适用于制备硅薄膜的TEM分析样品.     

背面Ar+轰击对n-沟MOSFET特性的影响

研究了低能量背面Ar+轰击对n-沟MOSFET特性的影响.用低能量(550eV)氩离子束轰击n-沟MOSFET芯片的背面,能改善其阈值电压VT、跨导gm、沟道电导gd和有效迁移率μeff等参数.结果表明,随着轰击时间的增加,阈值电压先减小,随后变大;而跨导、沟道电导和有效迁移率先增大,随后减小.实验证明,上述参数的变化是由于界面态密度和固定电荷密度变化的结果.