Hg1－_xCd_xTe外延薄膜的自由载流子吸收

讨论了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜的自由载流子吸收光谱，分析了外延层的纵向组分分布及Ｔｅ沉淀物对吸收曲线的影响．结果表明，由于外延薄膜存在着纵向组分的不均匀性，其吸收特性与体材料有区别；对某些透过率较低的样品，则应考虑Ｔｅ沉淀物对吸收的贡献     

Hg1-xCdxTe外延薄膜的自由载流子吸收

讨论了Hg_1-xCd_xTe外延薄膜的自由载流子吸收光谱，分析了外延层的纵向组分分布及Ｔｅ沉淀物对吸收曲线的影响．结果表明，由于外延薄膜存在着纵向组分的不均匀性，其吸收特性与体材料有区别；对某些透过率较低的样品，则应考虑Ｔｅ沉淀物对吸收的贡献     

HCl—Fe~( )溶液显示InSb{111}晶面的位错蚀坑

实验观察了HCl-Fe~( )溶液显示Insb{111}晶面位错蚀坑的精细结构,研究了蚀坑结构与位错线走向以及滑移面的关系,并讨论了这种蚀坑形成的动力学过程。研究结果表明,在<112>与<112>晶向的溶解台阶上,折角的不同核化几率与横向运动速度是位错饮坑具有二类不同性质溶解边缘的基本原因。     

锑化铟单晶中α位错的运动速度

采用二次腐蚀技术研究了纯净及掺杂晶体内α位错的运动速度与浓度及应力的关系.实验表明,InSb晶体内的位错运动速度具有明显的热激活性质.与纯样品相比,N型掺杂晶体的激活能较小,位错速度相应增加,而在P型掺杂晶体内,激活能值明显增加,位错速度显著减小.依据α位错受主性质,对实验现象进行了解释.     

液相外延生长Hg_（1－x）Cd_xTe薄膜及其特性分析

报道了用液相外延技术生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法．结果表明Ｈｇ气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响．由Ｘ射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份，由红外透射光谱确定外延层组份的纵向分布．     

汞压对液相外延(Hg,Cd)Te的液相线及组份的影响

Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延薄膜的质量与生长过程中的汞压有关。根据缔合溶液模型及相图理论,计算了汞压不平衡时液相点温度移动及组份的变化,并就液相外延的生长条件进行了分析。     

浅谈基于窄带的VPDN技术

简要介绍了基于窄带的VPDN技术,并利用该技术为企业客户提供了一种企业VPDN解决方案,阐述了VPDN技术互联网络的实现及其应用.     

碲镉汞红外焦平面器件热失配应力研究

采用有限元分析方法研究了碲镉汞红外焦平面器件在低温下由于不同热膨胀系数引起的热失配应力,提出了两种焦平面器件结构,可以有效地降低热应力,并应用于实际器件的制备,明显提高了碲镉汞焦平面器件的可靠性.     

多接口多信道无线网状网的信道动态切换研究

首先介绍了目前常见的信道动态切换方法,并分别分析了他们的优缺点.然后针对他们的通信节点之间需要同步而难以实现或各个节点需要一个公共控制信道来解决数据信道的争用而影响网络吞吐率等缺点,提出了一种基于信道队列的信道动态切换方法.该方法不需同步机制和公共控制信道,每个接口通过信道队列的队头元素产生下次新的切换信道,较好的确保了各信道传输的公平性;QDSAC能使网络中各节点的信道切换序列独立生成,计算代价也小,较好的保证了信道切换序列生成的实时性,从而提高网络吞吐率.     

不同邻晶面Hg1-xCdxTe外延薄膜的特性分析

在取向不同的CdTe衬底上用液相外延技术生长了Hg_1-xCd_xTe薄膜，结合金相显微镜、红外显微镜、X射线双晶衍射、红外吸收及Raman光谱等手段分析了不同邻晶面外延层的性质，结果表明，在“近平面”（衬底偏角δ＜0.1°）或“无台阶面”（δ≈1.2°）上生长的外延层的晶格质量及光学性能较好 关键词：