自动控制系统仿真

衡量控制系统调节品质优劣的性能指标可以理解为对每一类自动控制系统被控量变化全过程提出的共同基本要求,即稳定性、快速性和准确性。其中,稳定性是首要的,那么如何准确判断控制系统是否稳定就是十分重要的问题,通过设计程序算法和控制系统仿真,能够很好地解决这个问题。     

QEPAS系统中石英音叉模态仿真计算与研究

对石英音叉增强型光声光谱(QEPAS)系统中常用的石英音叉进行了有限元模态计算，获得石英音叉前6阶振型与模态频率，认知了第4阶对称摆动振型为有效振动，利用单因素法分析了石英音叉的音臂长度l₁、音臂宽度w₁、音臂厚度t、音臂切角θ、音臂圆孔直径d及音臂圆孔高度h对低阶有效共振频率(Fre)的影响，敏感度依次为： l₁> w₁>d>θ>t>h，考虑实际设计情形，筛选出了l₁，w₁，d与h四个石英音叉设计变量，采用Box-Behnken实验设计方案与RSM(response surface methodology)方法，以Fre为函数目标，建立l₁，w₁，d与h的二次回归响应面模型，得到了参数之间的交互作用，利用Design-Expert软件对响应面模型进行设计参数反求，结果表明，在15 000 Hz≤Fre≤25 000 Hz计算区域内误差较小，基本满足QEPAS系统的计算需求，所提出的研究与设计方法具有一定通用性，可为QEPAS系统中石英音叉结构参数设计提供参考。     

车载电子设备机柜布线工艺设计

对电子机柜传统的走线方式进行了分析、解剖，提出了新的走线方案模式，从工艺角度对机柜走线结构进行了改进设计，使之更适合于车载机柜的布线要求。     

IGCT 综合型电荷控制 模型的建立和仿真

以电荷控制方程而建立的IGCT综合型电荷控制模型，经关键性的关断电流和关断电压进行了仿真分析，所得结果与实际结果吻合。因此该模型是有效的，可用于IGCT的开关特性分析和集成门极电路设计。     

兼顾各方利益的移动互联网QoS定义、评估和体系结构

随着人们对信息移动性的迫切需求,高度的开放性、全球的移动性、承载业务的多样性将成为新一代互联网的重要特征.业界和公众都在期待Internet和无线通信的真正融合,但这两个领域存在本质的技术上、商业模式上的不兼容.因此对于实现"始终最优(always best)"的通信是很大的挑战.在过去的10年中,已经研究并开发出了许多的以IP为中心的QoS体系结构(如IntServ、DiffServ等),尽管如此,QoS现在并没有被广泛地应用,而且其未来还有很大的不确定性.在这种情况下,重新考虑QoS的定义、评估和体系结构是很有意义的.本文将围绕这些问题展开讨论.     

超临界流体色谱流程设计及其应用

本文设计了多功能超临界流体色谱流程,流程中包括毛细管/微填充柱SFC,GC,计算机控制温度、压力、密度及信号采集、处理,配置有超临界流体萃取池,解决了超临界流体色谱分流口易堵问题。利用该流程,将石腊、DC-200气相色谱固定相、黄油、蜂蜡、救心油、红花油等样品进行超临界流体色谱分离。     

三元相图及坐标变换的单纯形优化法测定铜（Ⅱ）—邻菲Luo啉—铬天…

本文用三元相图及坐标变换的单纯优化法安排实验，测定铜（Ⅱ）－邻菲Ｌｕｏ啉（Ｐｈｅｎ）－铬天菁Ｓ（ＣＡＳ）三元络合物组成。通过两种方法，不同算什么所得结果一致，络合比为３：３：２。     

矩形波导窄边斜缝的谐振电导

本文介绍了一种确定矩形波导窄边斜缝的导纳和谐振电导的方法。利用平面波角谱和模电流的不连续性导出了缝隙导纳的表达式。当缝在宽壁上切入深度假定为零时,本方法获得的谐振电导解与史蒂文森所获得的完全一致。本文还比较了缝在宽面切入深度为3.5毫米时其谐振电导随着倾角变化的理论和实验结果。     

用于白光LED的高亮度蓝白色荧光粉Ca2SiO3Cl2：Eu2+的发光性质

采用固相法在较低温度下合成了Eu²⁺激活的Ca₂SiO₃Cl₂高亮度蓝白色发光材料,并对其发光性质进行了研究。其发射光谱由两个谱带组成,峰值分别位于420,498nm处,归结为Ca₂SiO₃Cl₂晶体中占据两种不同Ca²⁺格位的Eu²⁺离子的5d→4f跃迁发射。改变Eu²⁺浓度,可以使样品的发光在蓝白色和绿白色之间变化。当Eu²⁺浓度为0.005mol^-1时,样品呈现很亮的蓝白色发光。两个发射峰的激发光谱均分布在250~410nm的波长范围内,峰值分别位于333,369nm处。Ca₂SiO₃Cl₂:Eu²⁺可被InGaN管芯产生的近紫外辐射有效激发,是一种性能良好的白光LED用单一基质蓝白色荧光粉。     

Structural and Electrical Characteristics of Pb（Zr0.53,Ti0.47）O3 Thin Films Deposited on Si （100） Substrates

Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively.