InSb的带间双光子吸收的实验观察

InSb双光子带间吸收,特别是双光子带间磁光吸收,无论从应用InSb材料于高强度红外光学或者是从对InSb能带结构的了解上看都是一个很有兴趣而又尚未完全解决的问题。我们用观测双光子吸收产生的光电导的方法观察了InSb对CO_2激光的双光子吸收。曾在室温、液氮、液氦下观察没有外加磁场时的双光子吸收以及在液氦温度下观察了双光子磁光吸收。     

教学激光喇曼光谱仪的研制与喇曼光谱课

一、引言由于1960年第一台激光器的问世,喇曼光谱工作在沉闷二十年后,又蓬勃地发展起来。在光谱技术不断改进的基础上,喇曼光谱的应用也从原来主要局限于化学结构分析等少数几个领域深入到了物理学、化学、生物学、矿物学和医学等各个方面,在石油化工等工业部门,喇曼光谱技术也得到了应用。因此,在物理、化学、化工、生物医学和地质矿产等专业的大学生中开设喇曼光谱实验课已日益显得必要。教育部1980年制定的“综合性大学物理专业近代物理实验大纲”、近年已出版或待出版的大学“化学物理实验”教材和大学“近代物理实验”教材中,都已把喇曼光谱列为教学内容之一。     

磁光实验用液氦杜瓦瓶

一、引 言 近年来晶体中磁光效应的研究,特别是半导体中磁光效应的实验研究有了很大的发展,它已成为研究晶体中能带结构的重要实验方法之一.为进行窄禁带半导体磁光效应的研究,我们研制了专用的液氦杜瓦瓶.本文简要介绍液氦杜瓦瓶的结构和主要性能. 二、结 构 液氦杜瓦瓶的结构     

用连续调谐CO_2激光器研究InSb自由载流子法拉第旋转

在室温、液氮和液氦温度下,首次用连续调谐的CO_2激光器研究了n-InSb自由载流子法拉第旋转.对于载流子浓度为3.26 ×10~(16)cm~(-3)的样品,测得电子的有效质量:m~*(10K)=0.0172m,m~*(77K)=0.0177m.m~*(296K)= 0.0192m.精确测量表明:当波长λ<9.5μm时,带间法拉第旋转的影响就越来越明显.     

亥姆霍兹型超导磁体及光学杜瓦瓶

一、引 言 随着激光、强磁场的发展,利用晶体的磁光效应研究其能带结构,已经成为重要的手段之一.为了进行窄禁带半导体磁光效应的研究,我们设计和研制了场强为46kG的亥姆霍兹型超导磁体和与之配套的光学杜瓦瓶,其结构和性能如下. 二、磁体部分 亥姆霍兹型线圈如图1,可视为图2(a     

光子频率接近吸收边时Hg_(1-x)Cd_xTe的法拉弟旋转

研究固体材料的法拉弟旋转,作为一种获得固体能带参数和研究不同色散机构的重要实验方法,一直受到人们极大的关注。到目前为止,已有不少文章详细地报道了对Ge、Si和Ⅲ-Ⅴ族及Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的法拉第旋转的研究。1978年,R.K.Ahrenkiel等研究了x值为0.37的Hg_(1-x)Cd_xTe材料的法拉第旋转。他们的研究表明,Hg_(1-x)Cd_xTe材料具有很高的品质因数,是做波长为10.6μm高能光学隔     

P型锗中的非线性饱和吸收

本文研究主要是在TEA CO_2激光器的10.6μm波段,利用窄脉冲激光峰值测量仪仔细地测量了P型锗的吸收随光强变化的非线性饱和现象。用非均匀展宽的二能级系统分析了P型锗轻、重空穴带之间的电子跃迁过程,并和实验结果进行了比较。由P型锗的能带结构可知,红外吸收可以发生在轻、重空穴价带和自旋轨道分裂带之间。在忽略光子动量的竖直跃迁过程中,吸收频率为ν_0的入射光子后,处于基态E_1(k)的     

InSb中自旋反转受激喇曼散射效应

InSb中电子的自旋反转喇曼散射是获得红外波段连续可调谐激光以及研究InSb能带结构的一种手段。我们在～7K下,观察了以TEACO_2激光器为入射泵浦光、在n型InSb样品上产生的自旋反转受激喇曼散射光的输出。所用的TEACO_2激光器用光栅选支,可选出46条振动线。本实验用9.6微米(1042cm~(-1))波长的输出。输出脉冲能量～0.5焦耳,脉冲宽度～200毫微秒,前沿～50毫微秒。用能量计和光子牵引检测器检测。样品尺寸4×4×8毫米的n-InSb,浓度～1.1×10~(16)厘米~(-3),所用磁场为我系自制超     

P型Ge的光子牵引效应

本文报道了我们对P型Ge光子牵引效应理论和实验的系统研究。红外激光通过P型Ge样品时,发生空穴带间的跃迁。分别考虑重、轻空穴带在k空间的分布函数f_1(k)和f_2(k),引入散射弛豫时间τ_1(k)和τ_2(k),可以得到光场作用下稳态的分布函数。具体分析表明,这是一个k空间上的不对称分布,因而半导体中将有轻、重空穴电流产生,即光子牵引电流。     

InSb中双光子带间磁光吸收的实验研究

用测量样品光电导变化的方法,以二氧化碳激光器作为入射光源,InSb研究了在0～40KG磁场下,对选支9.6μm和10.6μm的吸收。观察到一系列的吸收峰。和相应的理论计算进行了比较,发现大部分的吸收峰都可以用价带和导带的朗道能级间的二级跃迁来解释。但也有一些不能归结为朗道能级间的二级跃迁的吸收峰,它们也许是来自禁带中束缚能级对导带朗道能级的跃迁。