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室温下,InPBi表现出强而宽的光致发光光谱,其宽光谱特性来自于材料中的PIn反位深能级和与Bi相关的深能级。该特性使得InPBi有希望应用于制备光学相干层析扫描系统中的超辐射光源。文章利用透射电子显微镜和三维原子探针研究了InPBi薄膜材料的结构性能,发现Bi原子在InPBi薄膜中的分布极不均匀,在InPBi/InP界面出现了Bi的富集区,从该区域沿[001]方向出现了Bi的纳米面,此纳米面位于(110)平面上。这种Bi原子的富集分布阻碍了PIn反位参与的载流子复合过程,对InPBi的光学性能有显著的影响。研究结果可为制造光学相干层析扫描系统的超辐射发光二极管提供一定的理论基础。 相似文献
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InGaAs光电探测器广泛应用于短波红外检测。在InGaAs中掺入Bi可以减小带隙,延长探测波长。通过控制In和Bi的组分可使InyGa1-yAs1-xBix与InP晶格匹配,同时,扩展探测波长至3 μm以上。设计并研究了In0.394Ga0.606As0.913Bi0.087 p-i-n光电探测器的光电性能。计算了不同温度、吸收层厚度和p（n）区掺杂浓度下的暗电流和响应率特性。获得了3 μm的截止波长。该结构为拓展InP基晶格匹配的短波红外探测器的探测波长提供了一种可行的方法。 相似文献
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