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近阈值电压技术通过降低晶体管的电源电压来降低芯片能耗和提升能效。但是,近阈值电压技术会在Cache中引起大量位错误,严重影响末级缓存的功能。针对近阈值电压下超过1%的位错误率造成的Cache故障问题,该文提出一种基于传统6T SRAM单元的可容错的末级缓存结构(FTLLC)。该策略对缓存条目中的错误进行了低错纠正和多错压缩,提高了Cache中数据保存的可靠性。为了验证FTLLC的有效性,该文在gem5中实现了该结构,并运行了SPEC CPU2006测试集进行仿真实验。结果表明,对于650 mV电压下65 nm工艺的末级缓存,FTLLC与Concertina压缩机制相比在4-Byte粒度下末级缓存可用容量增加了24.9%,性能提高了7.2%,末级缓存的访存缺失率下降了58.2%,而面积和能耗开销仅有少量增加。 相似文献
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董家仪李菁曹广义赖昕欣胡蓓娟洪一江 《南昌大学学报(理科版)》2021,45(6):571-577
为探究淡水珍珠育珠蚌养殖水域水质因子季节变化规律以及对珍珠蚌生长的影响,以优质淡水珍珠蚌池蝶蚌养殖为对象,2017年6月~2018年5月对两个不同养殖基地进行了为期1年的水质变化监测和池蝶蚌生长观测,分析了部分水质因子与池蝶蚌生长的动态关系.结果表明:夏季是池蝶蚌最佳生长季节,该季节的养殖水体内悬浮颗粒有机物含量越高,... 相似文献
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