干法腐蚀损伤研究

采用 RIE 法,利用 PIN 光电二极管,研究了干法腐蚀损伤机理及引起损伤的主要因素。由于离子轰击及电子、紫外线辐射,形成了腐蚀面的损伤和沾污。射频功率的大小对表面损伤起着主要作用。用退火方法可以降低损伤程度,甚至可以消除小功率作用下的损伤。     

高压光开关器件的设计

详细叙述了一种高压光电晶闸管的结构及参数设计 ,用最优化方法确定出长基区宽度 ,选取了最佳的工艺途径及材料参数。简单介绍了实验研究及结果 ,并进行了简要的讨论。