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提出了一种低功耗可配置FFT处理器的设计方案和存储器地址产生方法,可进行8点、16点、32点、64点、128点和256点运算.采用基2算法和基于存储器的顺序结构,将长位宽的存储器分成两个短位宽的存储器,并在蝶形单元中将4个实数乘法器减少为3个,进一步降低了功耗.同时,在存储器读写和蝶形单元的运算之间采用流水线结构,以提高处理速度.该FFT处理器采用SMIC 0.18,um CMOS工艺库进行综合及布局布线,芯片核心面积为1.09 mm2,功耗仅为0.69 mW/MHz,实现了低功耗的目标. 相似文献
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在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献
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提出了一种新颖的分频器设计方案,在高频段采用改进的CMOS源耦合逻辑(SCL)结构的主从D触发器进行分频,以满足高速要求;在低频段采用自锁存的D触发器进行分频.这种结构的D触发器不但具有锁存功能,而且所需的管子比主从式D触发器要少,以满足低功耗和低噪声要求.从而使总体电路实现高速、低功耗、低噪声要求.基于TSMC的0.18 μmCMOS工艺,利用Cadence Spectre工具进行仿真.该分频器最高工作频率可达到5 GHz,在27 ℃、电源电压为1.8 V、工作频率为5 GHz时,电路的功耗仅4.32 mW. 相似文献
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毕业设计(论文)质量评价体系研究与实践 总被引:12,自引:4,他引:12
毕业设计(论文)质量直接影响着本科人才培养质量和学校总体教学水平,在多年的毕业设计(论文)工作中。采取早准备、严格过程检查、严把簧辩关、学生与指,教师之间采用双向选择、实行指导教师负责制、建立不断完善的质量评价体系、成立以学科带头人和学术组长组成的毕业设计(论文)质量检查专家工作组,从毕业设计(论文)选题、过程、答辩到成绩评定等全过程进行跟踪检查,形成了一套切实可行的方法,全面提高了毕业设计(论文)质量。 相似文献
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开放式大容量NAND Flash数据存储系统设计与实现 总被引:2,自引:0,他引:2
完成了一种基于NAND Flash存储介质的开放武大容量数据存储系统设计,包括硬件系统以及软件系统的设计,并在软件设计中重点提出了应用于NAND闪存的数据管理算法,通过二级地址映射,按块中的脏页数回收脏块和按时间标记转移静态信息实现坏块管理,均匀损耗.该设计能为各种存储器件提供底层的NAND闪存存储系统,使其能方便快速地存储数据而不需要考虑NAND闪存的物理特性. 相似文献
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本文根据车载雷达的需要,利用AT切石英晶体谐振器从主振电路、辐度放大电路、波形变换电路、自动增益电路和压控电路等诸多因素综合考虑,设计了车载雷达用的小型单层恒温高稳晶振,具有良好的老化特性和高可靠性. 相似文献
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提出了一种新颖的分频器设计方案,在高频段采用改进的CMOS源耦合逻辑(SCL)结构的主从D-Latch进行分频;在低频段采用自锁存的D触发器进行分频,从而实现高速、低功耗、低噪声双模前置32/33分频器。基于TSMC的0.18!mCMOS工艺,利用CadenceSpectre工具进行仿真。该分频器最高工作频率可达到5GHz,在27℃、电源电压为1.8V、工作频率为5GHz时,电路的功耗仅4.32mW(1.8V×2.4mA)。 相似文献